上海市科学技术委员会资助项目(0552nm049)
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
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- 相关机构：复旦大学上海集成电路研发中心更多>>
- 发文基金：上海市科学技术委员会资助项目上海市教育委员会重点学科基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信更多>>
- Cu/Ta/SiO2/Si多层膜纳米压痕与压痕下微观结构的研究被引量：1
- 2008年
- Cu/Ta/SiO2/Si多层膜结构是目前集成电路制造工艺中的常见结构,其硬度与弹性模量通过纳米压入技术测得。为了表征纳米压痕下的形变微观区域,采用聚焦离子束加工出压痕截面,同时进行扫描电子、扫描离子显微观察,发现样品衬底发生开裂,多层膜结构出现分层现象。TEM分析表明分层出现在Ta/SiO2界面,说明这是该结构的一个薄弱环节。
- 卢茜吴子景吴晓京Weidian Shen蒋宾
- Cu／Ta／SiO2／Si薄膜在纳米压痕下的分层现象研究被引量：1
- 2008年
- 采用磁控溅射技术在热氧化单晶硅衬底上先后淀积了厚度分别为50 nm的Ta膜和400 nm的Cu膜。使用纳米压入仪在样品表面进行压入测试,在薄膜表面制造出残留压痕。使用扫描电镜(SEM)、聚焦离子束(FIB)、透射电镜(TEM)和X射线能谱仪(EDX)对残留压痕形貌、剖面上的分层现象进行观察,确定分层所在的位置。发现在69 mN的最大载荷作用后,在Ta/SiO2界面处发生分层。分层的原因主要归结为在应力作用下,多层膜中各种材料的应变、弹性恢复能力不同。
- 吴子景吴晓京卢茜Shen Weidian蒋宾
- 关键词：纳米压痕
