湖北省教育厅科学技术研究项目(B2013021)
- 作品数：4 被引量：13H指数：2
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- 含色散负折射率缺陷一维Sinc函数型光子晶体的光学传输特性被引量：8
- 2014年
- 应用传输矩阵法对含色散负折射率缺陷一维sinc函数型光子晶体的光学传输特性进行了研究。结果表明:含色散负折射率缺陷的sinc函数型光子晶体比含同样缺陷的余弦函数型光子晶体具有更宽阔的光子禁带;该光子晶体的禁带宽度随着介质层折射率nB(0)、nA(0)或半周期厚度的增大迅速收缩变窄,缺陷模消失;当光波入射角增大时,禁带宽度变宽,缺陷模与禁带一起红移;计算还发现该禁带结构对色散负折射率缺陷层的位置变动十分敏感;但是,缺陷层厚度的变化不会改变禁带的位置和宽度,此时缺陷模会随着缺陷层厚度的增大向着禁带中心移动。这些结论对一维函数型光子晶体的设计具有重要参考意义。
- 王筠刘丹刘勇李建明靳海芹
- 关键词：传输矩阵光学传输特性
- 色散缺陷对Sinc函数型光子晶体带隙的影响被引量：5
- 2015年
- 利用传输矩阵法及对色散缺陷层采用洛伦兹振子模型,研究了一维含色散缺陷的Sinc函数型光子晶体的光子禁带和色散缺陷模,计算了该周期结构的复有效折射率。结果表明,加入缺陷层后可获得宽阔的光子禁带;缺陷层引入色散后在中心圆频率附近色散缺陷模出现;随着振子强度的增大,增益性缺陷模圆频率发生阶跃式移动,其透射率显著增大,而吸收性缺陷模的透射率显著减小,此时缺陷模处的色散曲线有一个近乎垂直的斜率,此处的群速度将大大降低;增益性缺陷层基底折射率对缺陷模频率影响显著;缺陷层位于周期结构中心层时缺陷模频率最低、透射率最大。增大入射角使得缺陷模红移,增益性缺陷模在特殊入射角处透射率会出现千倍增益。
- 王筠
- 关键词：传输矩阵法光子带隙
- 多色空间相干光在杨氏双圆孔干涉远场的光谱位移和光谱开关
- 2013年
- 根据惠更斯菲涅耳原理,推导得到多色完全空间相干光在杨氏双圆孔干涉远场的光谱分布表示式,并进行了详细的数值分析。结果表明,观察屏上与y轴成45\O角的斜直线上光谱开关数目随双圆孔中心遮拦比的增大而减少,光谱开关间距趋于相等;而该斜直线上任一固定点处的光谱开关间距却随之不断缩小。分析计算还表明,在平行于双圆孔中心连线的x轴上的光谱分布与双圆孔中心遮拦比无关,光谱开关间距相等,改变圆孔半径大小可以控制x轴上的光谱开关数目。在与双圆孔中心连线垂直的y轴上,光谱分布与空间点的位置坐标、圆孔半径及双圆孔中心遮拦比均有关,随着中心遮拦比的增大,光谱开关间距趋于相等。
- 王筠刘勇刘丹
- 关键词：物理光学光谱开关
- 一维sinc函数型光子晶体塔姆态的带隙研究被引量：2
- 2014年
- 应用传输矩阵法推导得到横磁波(TM)波斜入射到一维sinc函数型光子晶体时的反射系数、透射系数和电场、磁场表示式,在此基础上对由两个半有限光子晶体组成的异质结进行了细致全面的数值计算与分析,结果表明该异质结两侧的半有限光子晶体相当于负介电常数材料与负磁导率材料,满足匹配条件时塔姆态出现;通过减小两种介质层的光学厚度之比可以显著加宽横磁波(TM波)和横电波(TE波)的第一禁带宽度,同时第一禁带位置蓝移;当两种介质层折射率以相同倍率增大时,TM波和TE波的第一禁带宽度变化趋势相反,前者逐渐变宽,后者收缩变窄,第一禁带位置均发生红移;周期数和入射角对该异质结透射谱也有显著影响。
- 王筠
- 关键词：传输矩阵法
