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北京工业大学博士启动基金(52002014200403)
作品数:
1
被引量:5
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相关作者:
林巧明
牛南辉
张念国
李彤
刘建平
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相关机构:
北京工业大学
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张念国
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半导体光电
年份
1篇
2007
共
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InGaN/GaN MQW双波长LED的MOCVD生长
被引量:5
2007年
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统生长了InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管(LED)。发现在20 mA正向注入电流下空穴很难输运过蓝光和绿光量子阱间的垒层,这是混合量子阱有源区获得双波长发光的主要障碍。通过掺入一定量的In来降低蓝光和绿光量子阱之间的垒层的势垒高度,增加注入到离p-GaN层较远的绿光有源区的空穴浓度,从而改变蓝光和绿光发光峰的强度比。研究了蓝光和绿光量子阱间垒层In组分对双波长LED的发光性质的影响。此外,研究了双波长LED发光特性随注入电流的变化。
沈光地
张念国
刘建平
牛南辉
李彤
邢艳辉
林巧明
郭霞
关键词:
MOCVD
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