微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金(51491050105DZ0201)
- 作品数：7 被引量：16H指数：3
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- 10Gb/s GaAs PHEMT电流模跨阻抗光接收机前置放大器(英文)
- 2007年
- 采用0．5μm GaAs PHEMT工艺研制了一种单电源共栅电流模跨阻抗前置放大器（TIA）．测量得到放大器-3dB带宽为7．5GHz，跨阻增益为45dBQ；输入输出电压驻波比（VSWR）均小于2；等效输入噪声电流谱密度在14．3～22pA／√Hz之间，平均值为17．2pA／√Hz．在输入10Gb／s非归零（NRZ）伪随机二进制序列（PRBS）信号下，放大器输出眼图清晰，具有14ps的定时抖动和138mV的峰峰电压．
- 焦世龙叶玉堂陈堂胜冯欧蒋幼泉范超李拂晓
- 关键词：PHEMT电流模式前置放大器眼图
- 20GHz宽带GaAs PHEMT分布式前置放大器被引量：7
- 2007年
- 采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制了一种光接收机分布式前置放大器.该放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz^16GHz范围内,输入、输出电压驻波比(VSWR)均小于2;带内噪声系数在3.03~6.5dB之间,平均等效输入噪声电流密度约为14.6pA/Hz;在输入10Gb/s非归零(NRZ)伪随机二进制序列(PRBS)信号下,放大器输出眼图清晰,具有12ps的定时抖动和166mV峰峰电压.
- 焦世龙陈堂胜蒋幼泉钱峰李拂晓邵凯叶玉堂
- 关键词：分布放大器噪声系数眼图
- 10Gb/s GaAs PHEMT高增益光接收机前置放大器(英文)被引量：2
- 2007年
- 基于南京电子器件研究所0.5μm GaAs PHEMT工艺,研制了一种高增益级联式光接收机前置放大器.作为前级的跨阻抗放大器的-3dB带宽为10GHz,小信号增益为9dB;作为后级的分布式放大器的-3dB带宽接近20GHz,小信号增益为12dB;级联前置放大器小信号增益达21.3dB,跨阻增益为55.3dBΩ,在输入10Gb/s非归零伪随机二进制序列下,放大器输出眼图清晰、对称、信噪比优于跨阻放大器,分布放大器不能校正的输入波形失真也得到显著改善.
- 焦世龙杨先明赵亮李辉陈镇龙陈堂胜邵凯叶玉堂
- 关键词：GAASPHEMT光接收机前置放大器眼图
- 一种850nm单片集成光接收机前端
- 2007年
- 采用0.5μm GaAs PHEMT工艺和台面光刻互连工艺研制了一种850nm光接收机前端单片电路,包括金属-半导体-金属光探测器和跨阻前置放大器。探测器光敏面积约2000μm2,电容小于0.15pF,4V偏压下的暗电流小于14nA。跨阻前置放大器-3dB带宽接近10GHz,跨阻增益约43dBΩ。光接收机前端在输入2.5Gb/s非归零伪随机二进制序列调制的850nm光信号下得到较为清晰的输出眼图。
- 冯欧冯忠杨立杰焦世龙蒋幼泉陈堂胜李拂晓叶玉堂
- 关键词：跨阻前置放大器光电集成电路眼图
- 单片集成GaAsPIN／PHEMT光接收机前端工艺研究被引量：2
- 2008年
- 利用0.5μm GaAs PHEMT技术研究了适用于单片集成GaAs PIN/PHEMT光接收机前端的关键工艺,解决了台面工艺和PHEMT平面工艺的兼容性问题,包括不同浓度磷酸系腐蚀液对台面腐蚀均匀性的影响、台面与平面共有金属化工艺对光刻技术的要求。结果表明,工艺技术完全满足单片设计要求,研制得到的单片集成光接收机前端在输入1Gb/s和2.5Gb/s非归零(NRZ)伪随机二进制序列(PRBS)调制的光信号下得到较为清晰的输出眼图。
- 冯忠焦世龙冯欧杨立杰蒋幼泉陈堂胜陈辰叶玉堂
- 关键词：单片集成分布放大器光接收机眼图
- 5Gb/s单片集成GaAs MSM/PHEMT 850nm光接收机前端被引量：3
- 2007年
- 采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制出了一种单片集成850nm光接收机前端,它包括金属-半导体-金属(MSM)光探测器和分布放大器.探测器光敏面积为50μm×50μm,电容为0.17pF,4V偏压下的暗电流小于17nA.分布放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz^16GHz范围内,输入、输出电压驻波比均小于2;噪声系数在3.03~6.5dB之间.光接收机前端在输入2.5和5Gb/s非归零伪随机二进制序列调制的光信号下,得到较为清晰的输出眼图.
- 焦世龙陈堂胜钱峰冯欧蒋幼泉李拂晓邵凯叶玉堂
- 关键词：分布放大器光接收机眼图
- 12 Gb/s GaAs PHEMT跨阻抗前置放大器被引量：3
- 2006年
- 采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制了一种单电源偏置光接收机跨阻抗前置放大器.放大器-3dB带宽约为9.5GHz;在50MHz^7.5GHz范围内,跨阻增益为43.5±1.5dBΩ,输入输出回波损耗均小于-10dB;带内噪声系数在4dB^6.5dB之间,由此得到的最小等效输入噪声电流密度约为17.6pA/Hz;输入12Gb/s NRI伪随机序列时,放大器输出眼图清晰,眼开良好.
- 焦世龙冯暐陈堂胜范超李拂晓叶玉堂
- 关键词：PHEMT前置放大器
