武汉市科技攻关计划项目(20061002073)
- 作品数：5 被引量：15H指数：2
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- AlN薄膜体声波谐振器性能分析被引量：1
- 2007年
- 采用体硅微细加工工艺制备了背空腔型AlN薄膜体声波谐振器。研究了压电层、上电极及支撑层厚度对谐振器性能的影响。测试结果表明,谐振器所用AlN压电薄膜具有(002)择优取向,器件频率特性良好。当上电极、压电层、底电极和支持层的厚度分别为110,2600,110,200nm时,谐振频率为1.759GHz,机电耦合系数3.75%,品质因数79.5。结合Mason等效电路模型模拟分析与实验结果,分析了各层厚度对频率特性的影响机理。
- 胡光顾豪爽张凯胡宽吴小鹏
- 关键词：电子技术薄膜体声波谐振器氮化铝
- MEMS中硅的深度湿法刻蚀研究被引量：10
- 2007年
- 探讨用于MEMS硅湿法刻蚀的刻蚀液浓度、温度、添加剂种类和浓度对刻蚀速率及表面粗糙度的影响,优化得到最佳刻蚀条件,刻蚀速率较常用刻蚀条件时提高约3倍;用扫描电镜观察刻蚀后的表面形貌,结果显示优化刻蚀条件下硅表面粗糙度得到极大的改善.以优化的刻蚀条件进行深度刻蚀,蚀刻出深达236μm的窗口,图形完整,各向异性良好.
- 张凯顾豪爽胡光叶芸吴雯刘婵
- 关键词：微机电系统湿法刻蚀刻蚀速率表面粗糙度
- Mo电极上磁控反应溅射AlN薄膜被引量：4
- 2009年
- 采用射频反应磁控溅射法在Mo电极上沉积了AlN薄膜。研究了溅射气压、靶基距、溅射功率、衬底温度及N2含量等不同工艺条件对AlN薄膜择优取向生长的影响。用XRD分析了薄膜的择优取向,用原子力显微镜、高分辨场发射扫描电镜表征了薄膜的形貌。实验结果表明,靶基距和溅射气压的减小,衬底温度及溅射功率的升高有利于AlN(002)晶面的择优取向生长。氮氩比对AlN薄膜择优取向生长影响较小,N2≥50%(体积分数)时均可制得高c轴择优取向的AlN薄膜。经优化工艺参数制备的AlN柱状晶薄膜适用于体声波谐振滤波器的制备。
- 熊娟顾豪爽胡宽吴小鹏
- 关键词：ALN薄膜射频磁控反应溅射
- 基于AlN压电层的薄膜体声波谐振器
- 2007年
- 以AlN薄膜为压电层,采用体硅微细加工工艺制备了背空腔型结构薄膜体声波谐振器.材料测试结果表明,在优化溅射工艺下沉积的AlN薄膜具有(002)择优取向及良好的柱状晶结构.扫描电镜表征证实所制得的空腔背部平滑且各向异性较好.用网络分析仪测试可知,最终所制得的谐振器具有较好的频率特性:谐振频率为2.537GHz,机电耦合系数为3.75%,串、并联品质因数分别为101.8和79.7.
- 胡光张凯叶芸吴雯刘婵顾豪爽
- 关键词：薄膜体声波谐振器氮化铝空腔
- A1N薄膜腔声谐振器的制备及性能研究
- 采用体硅微细加工工艺制备了基于 AlN 压电材料的薄膜腔声谐振器,研究了器件结构中谐振区形状和面积对谐振器性能的影响．以 X 射线衍射仪、扫描电镜表征了 AlN 压电薄膜的结构及形貌,高频网络分析仪表征谐振器频率特性．测...
- 胡宽顾豪爽张凯胡光吴小鹏熊娟
- 关键词：薄膜腔声谐振器频率特性
- 文献传递
- AlN薄膜腔声谐振器的制备及性能研究被引量：1
- 2007年
- 采用体硅微细加工工艺制备了基于AlN压电材料的薄膜腔声谐振器，研究了器件结构中谐振区形状和面积对谐振器性能的影响。以X射线衍射仪、扫描电镜表征了AlN压电薄膜的结构及形貌，高频网络分析仪表征谐振器频率特性。测试结果表明，谐振器所用AlN压电薄膜具有C轴择优取向及良好的柱状晶结构；器件频率特性良好，谐振频率达1．759GHz，机电耦合系数3．75％，品质因数79．5。通过研究不同谐振区形状、面积谐振器的性能，明确了结构因素对器件频率特性的影响，分析了其中的机制。
- 胡宽顾豪爽张凯胡光吴小鹏熊娟
- 关键词：薄膜腔声谐振器频率特性
