国家自然科学基金(61176001)
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 相关作者：刘林杰张苗陈达郭庆磊梅永丰更多>>
- 相关机构：中国科学院复旦大学兰州大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- Ge基GaAs薄膜和InAs量子点MBE生长研究
- 2013年
- 采用分子束外延(MBE)法,在优化Ge衬底退火工艺的基础上,通过对比在(001)面偏<111>方向分别为0°、2°、4°和6°的Ge衬底上生长的GaAs薄膜,发现当Ge衬底的偏角为6°时有利于高质量GaAs薄膜的生长;通过改变迁移增强外延(MEE)的生长温度,发现在GaAs成核温度为375℃时,可在6°偏角的Ge衬底上获得质量最好的GaAs薄膜。通过摸索GaAs/Ge衬底上InAs量子点的生长工艺,实现了高效的InAs量子点光致发光,其性能接近GaAs衬底上直接生长的InAs量子点的水平。
- 高晓强王凯邓闯贺端威
- 关键词：分子束外延INAS量子点
- SiGe薄膜的RPCVD负载影响及特性研究被引量：1
- 2012年
- 利用RPCVD系统,在150mm(100)硅片衬底上了制备出高质量锗硅合金薄膜,研究了温度和锗烷流量对薄膜生长速率与合金中锗浓度的影响,并对薄膜进行了掺杂处理。分别利用高分辨透射电子显微镜、高分辨X射线衍射、原子力显微镜、二次离子质谱表征了薄膜特性。结果表明,通过克服RPCVD系统中外延层高缺陷密度、掺杂控制困难等缺点,制备出高质量的SiGe薄膜。
- 陈达刘林杰薛忠营刘肃贾晓云
- 关键词：硅锗
- 基于边缘剪切转移技术制备硅基柔性光波导被引量：1
- 2016年
- 无机柔性光电子技术由于具有柔性、便携、大面积等优点而受到科研人员的广泛关注,并取得了长足的进展.制备无机柔性光电子器件的技术关键是将传统刚性衬底上的纳米"构筑单元"(Building Blocks)以一种可控的、精确的、具有超高对准度的方式集成在柔性基底上.本文针对"转印"(Transfer Printing)技术中纳米"构筑单元"向柔性衬底集成时的可控转移及确定性组装(Deterministic Assembly)等难题,提出了边缘剪切转移技术,实现了柔性硅纳米带阵列在柔性基底上的制备及确定性组装.结合悬臂梁模型及有限元模拟,得出悬空硅纳米带内部在边缘剪切转移过程中所产生的应力与其厚度、宽度之间的函数关系.此外,本文还研究了不同方向硅条带在边缘剪切转移的过程中所制备硅纳米带的边缘形貌,并优化初始硅条带的方向,得到边缘平整的硅纳米带.最终,利用该技术制备出柔性衬底上的硅基光波导.
- 郭庆磊张苗狄增峰黄高山梅永丰
- 关键词：硅波导
