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北京市科技计划项目(D121100001812002)

作品数：1 被引量：5H指数：1
相关作者：王波王如志陈程程刘立英宋雪梅更多>>
相关机构：北京工业大学更多>>
发文基金：北京市科技计划项目北京市科技新星计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇纳米
  • 1篇基底
  • 1篇GAN
  • 1篇场发射

机构

  • 1篇北京工业大学

作者

  • 1篇严辉
  • 1篇宋雪梅
  • 1篇刘立英
  • 1篇陈程程
  • 1篇王如志
  • 1篇王波

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
不同基底的GaN纳米薄膜制备及其场发射增强研究被引量：5
2013年
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si及SiC基底上制备了相同厚度的GaN纳米薄膜并对其进行了微结构表征及场发射性能测试分析.结果表明:基底对于GaN薄膜微结构及场发射性能具有显著的影响.在SiC基底上所制备的GaN纳米薄膜相对于Si基底上的GaN纳米薄膜,其场发射性能得到显著提升,其场发射电流可以数量级增大.场发射显著增强应源于纳米晶微结构及取向极化诱导增强效应.本研究结果表明,要获得优异性能场发射薄膜,合适基底及薄膜晶体微结构需要重点考虑.
陈程程刘立英王如志宋雪梅王波严辉
关键词：基底GAN场发射
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共1页<1>
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