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4H-SiC基紫外光电探测器研究进展被引量：4: 2014年; 介绍了4H-SiC材料用于高温、低电平紫外光电检测的优点,回顾总结了近年来4H-SiC基紫外光电探测器的研究进展,分析了改善4H-SiC基紫外光电探测器性能参数如降低暗电流、提高光电响应度等可采用的各种技术手段,探讨了4H-SiC基紫外光电探测器的发展趋势。; 蔡加法吴正云; 关键词：光电子学紫外光电探测器

4H-SiCp-i-n紫外光电探测器的电容-电压特性研究: 2016年; 分析并比较了4H-SiC p-i-n紫外光电探测器的电容-电压(C-V)特性随温度和偏置电压的变化情况,观测到4H-SiC p-i-n结构中的深能级缺陷。结果表明:由于近零偏压时探测器i型层已处于耗尽状态,其高频(1 MHz)C-V特性几乎不随反向偏压变化.随着温度升高,被热离化的自由载流子数量增多导致高频结电容随之增大;探测器的低频(100 kHz)结电容比高频结电容具有更强的电压和温度依赖性,原因在于被深能级缺陷俘获的载流子随反向偏压增大或随温度升高而被离化,从而对结电容产生影响.; 蔡加法陈厦平吴少雄吴正云; 关键词：光电子学 4H-SIC 深能级缺陷

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国家自然科学基金(61176049)