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中央高校基本科研业务费专项资金(K50510250011)

作品数：2 被引量：9H指数：1
相关作者：庄奕琪杜永乾李小明景鑫戴力更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇低功耗
  • 2篇功耗
  • 1篇带隙基准
  • 1篇带隙基准电路
  • 1篇低压
  • 1篇低压低功耗
  • 1篇电路
  • 1篇电源抑制
  • 1篇电源抑制比
  • 1篇亚阈值
  • 1篇抑制比
  • 1篇射频识别
  • 1篇基准电路
  • 1篇基准电压
  • 1篇基准电压源
  • 1篇基准源
  • 1篇RFID
  • 1篇超高频
  • 1篇超高频射频识...

机构

  • 2篇西安电子科技...

作者

  • 2篇李小明
  • 2篇杜永乾
  • 2篇庄奕琪
  • 1篇戴力
  • 1篇井凯
  • 1篇景鑫

传媒

  • 1篇华中科技大学...
  • 1篇西安电子科技...

年份

  • 2篇2013
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种新型无源UHFRFID带隙基准电路被引量：8
2013年
设计了一种适用于无源超高频射频识别芯片的电流模带隙基准电路,其中负温度系数电流利用BJT管的基射极电压的负温度特性产生,正温度系数电流利用偏置在亚阈值区的MOS器件其漏源电流与栅源电压呈指数关系的特性产生.该基准电路采用TSMC 0.18μm工艺库仿真并投片验证,基准电压的绝对值偏差最大不超过1.75%.测试结果表明,该电路功耗仅为0.65μW,最低工作电压为0.829V,温度系数为±63×10-6/℃,芯片有效面积为0.04mm2.该基准电路已成功应用于一款无源超高频射频识别芯片中,其读取灵敏度为-16dBm.
杜永乾庄奕琪李小明景鑫戴力
关键词：超高频射频识别低功耗亚阈值带隙基准
新型低压低功耗基准电压源被引量：1
2013年
设计了一种低压、低功耗基准电压源电路．该电路采用工作在亚阈区的MOSFET与传统PNP晶体管相结合的方式，使得电路的输出基准电压与MOSFET阈值无关，具有较低功耗和较高精度．同时，虚拟二极管连接的偏置结构的引入提高了环路增益，进而提高基准源的电源抑制比（PSRR）．采用SMIC0．18“m工艺平台，并完成版图设计以及仿真验证．当基准源输出电压为0．702V时，电源电压工作范围为0．9～3．0V，静态功耗仅为0．6gW，其温度系数为13．6肛V／℃，PSRR接近80dB．在不同工艺角下，该基准电路的输出基准电压最大偏差为9mV．
杜永乾庄奕琪李小明井凯
关键词：基准源低压低功耗电源抑制比
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共1页<1>
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