中国人民解放军总装备部预研基金(61501050401C)
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
- 相关作者：黎明徐静波张海英付晓君刘亮更多>>
- 相关机构：中国科学院微电子研究所中国科学院更多>>
- 发文基金：中国人民解放军总装备部预研基金中国科学院微电子研究所所长基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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- T形栅In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.6)Ga_(0.4)As MHEMTs功率器件(英文)
- 2008年
- 利用电子束光刻技术制备了200nm栅长GaAs基T型栅InAl As/InGaAs MHEMT器件.该GaAs基MHEMT器件具有优越的直流、高频和功率性能,跨导、饱和漏电流密度、阈值电压、电流增益截止频率和最大振荡频率分别达到510mS/mm,605mA/mm,-1.8V,138GHz和78GHz.在8GHz下,输入功率为-0.88(2.11)dBm时,输出功率、增益、PAE、输出功率密度分别为14.05(13.79)dBm,14.9(11.68)dB,67.74(75.1)%,254(239)mW/mm,为进一步研究高性能GaAs基MHEMT功率器件奠定了基础.
- 黎明张海英徐静波付晓君
- 关键词：MHEMTINALAS/INGAAST型栅功率器件
- 200nm栅长In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.6)Ga_(0.4)As MHEMTs器件(英文)
- 2008年
- 利用电子束光刻技术制备出200nm栅长GaAs基InAIAs/InGaAs MHEMT器件.Ti/Pt/Au蒸发作为栅极金属.同时为了减少栅寄生电容和寄生电阻,采用3层胶工艺,实现了T型栅.GaAs基MHEMT器件获得了优越的直流和高频性能,跨导、饱和漏电流密度、域值电压、电流增益截止频率和最大振荡频率分别达到510mS/mm,605mA/mm,-1.8V,110GHz及72GHz,为进一步研究高性能GaAs基MHEMT器件奠定了基础.
- 黎明张海英徐静波付晓君
- 关键词：MHEMT电子束光刻T型栅
- 1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件及SPDT开关MMIC(英文)
- 2008年
- 利用MBE外延材料和接触式光学光刻方式,成功制备出1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件,分别蒸发Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au作为栅电极金属.获得了优越的DC和RF性能,Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au MHEMT器件的gm为502(503)mS/mm,JDSS为382(530)mA/mm,VT为0.1(-0.5)V,fT和fmax分别为13.4(14.8),17.0(17.5)GHz.利用单片集成增强/耗尽型GaAs基MHEMT器件制备出九阶环型振荡器,直流电压为1.2V时,振荡频率达到777.6MHz,门延迟时间为71.4ps.利用Ti/Pt/Au MHEMT器件设计并制备出了DC-10GHz单刀双掷(SPDT)开关MMIC,其插入损耗、隔离度、输入输出回波损耗分别优于2.93,23.34和20dB.
- 徐静波黎明张海英王文新尹军舰刘亮李潇张健叶甜春
- 关键词：MHEMTSPDTMMIC
- 利用电子束光刻技术实现200nm栅长GaAs基MHEMT器件
- 2008年
- 电子束光刻(electron beam lithography)技术是实现微细栅长的光刻技术之一,利用电子束光刻技术制备出200nm栅长GaAs基MHEMT器件.同时为了减少栅寄生电容和寄生电阻,采用3层胶工艺,实现了T型栅.GaAs基MHEMT器件获得了优越的直流、高频和功率性能,电流增益截止频率和最大振荡频率分别达到105和70GHz,为进一步研究高性能GaAs基MHEMT器件奠定了基础.
- 徐静波张海英王文新刘亮黎明付晓君牛洁斌叶甜春
- 关键词：电子束光刻T型栅
