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四川省应用基础研究计划项目(01GY051-21)

作品数：2 被引量：7H指数：1
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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇纳米
  • 2篇催化
  • 1篇氧化锌
  • 1篇荧光
  • 1篇荧光光谱
  • 1篇气相
  • 1篇气相沉积
  • 1篇气相沉积法
  • 1篇纳米线
  • 1篇纳米氧化锌
  • 1篇拉曼
  • 1篇拉曼光谱
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇光谱
  • 1篇光学
  • 1篇SEM
  • 1篇XRD
  • 1篇ZNO纳米
  • 1篇ZNO纳米线

机构

  • 2篇四川大学

作者

  • 2篇龚敏
  • 2篇孙小松
  • 2篇晋勇
  • 2篇杨治美
  • 2篇王帅
  • 2篇余洲
  • 2篇何毅
  • 1篇林海
  • 1篇武展文
  • 1篇陈浩
  • 1篇钟志亲
  • 1篇杨文彬

传媒

  • 1篇光散射学报
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2005
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
催化剂辅助化学气相沉积法制备准单晶ZnO纳米线被引量：7
2005年
利用Au催化辅助化学气相沉积生长技术,在nSi(111)衬底上制备了准单晶的ZnO纳米线。X射线衍射分析的结果表明,ZnO纳米线具有明显的沿(0001)方向定向生长的特征。扫描电子显微镜分析表明,ZnO纳米线的典型直径约为100nm,长度为2～5μm。讨论了Au催化辅助化学气相沉积生长技术制备ZnO纳米线的原理。
孙小松余洲王帅杨治美晋勇何毅杨文彬龚敏
关键词：ZNO纳米线化学气相沉积XRDSEM
无催化纳米氧化锌的制备及其光学性质研究
2006年
本文采用无催化剂直接蒸发高纯Zn粉,在800℃氧气氛条件下,在Si(111)衬底上生长得到以四角状为主的纳米ZnO(T-ZnO)。T-ZnO纳米线每个角约互成110°,长度约为1.5μm,直径100nm左右;Raman分析表明E2(H)普遍存在于各形态的ZnO;光致发光光谱表明,T-ZnO纳米线的光致发光除了与材料性质有关,还与杂质缺陷有关,蓝绿光带是ZnO的缺陷产生的。
杨治美余洲林海王帅钟志亲陈浩武展文孙小松晋勇何毅龚敏
关键词：纳米氧化锌拉曼光谱荧光光谱
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