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国家重点基础研究发展计划(2001CBG10503)

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题名
作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电容-电压特...
  • 1篇电压特性
  • 1篇隧穿
  • 1篇纳米硅
  • 1篇库仑阻塞
  • 1篇共振隧穿
  • 1篇NC-SI
  • 1篇MOS结构

传媒

  • 1篇山东科技大学...

年份

  • 1篇2003
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包含纳米硅(nc-Si)晶粒MOS结构中的共振隧穿和库仑阻塞现象
2003年
采用等离子体氧化和逐层(layer-by-layer)生长技术在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中原位制备了Al/SiO2/nc-Si/SiO2/p-Si纳米结构.利用变频电容-电压测量研究了该结构的电学性质,在室温下首次观察到电容峰现象.实验得到的单电子库仑充电能与理论上用电容模型算得的结果一致.
吴良才
关键词：电容-电压特性共振隧穿库仑阻塞
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