博士科研启动基金(X060031)
- 作品数：7 被引量：30H指数：4
- 相关作者：周勋丁召何浩罗子江贺业全更多>>
- 相关机构：贵州大学贵州师范大学贵州财经大学更多>>
- 发文基金：博士科研启动基金国家自然科学基金贵州省优秀科技教育人才省长资金项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信自然科学总论更多>>
- RHEED实时监控下MBE生长不同In组分的InGaAs薄膜被引量：5
- 2011年
- 利用分子束外延技术,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,固定Ga源温度、改变In源温度在GaAs(001)基片上外延生长了不同In组分(39%、29%、19%)的InGaAs薄膜。比较RHEED强度振荡以及RHEED衍射图像,发现随着In组分的增加In-GaAs的生长将很快进入三维粗糙表面生长模式,并指出In0.19Ga0.81As和In0.29Ga0.71As薄膜处于(2×3)表面重构相。In0.19Ga0.81As样品进行退火处理后完成STM扫描分析,证实样品为表面原子级平整的In-GaAs薄膜。
- 罗子江周勋贺业全何浩郭祥张毕禅邓朝勇丁召
- 关键词：MBERHEEDSTM
- 在RHEED实时监控下GaAs晶体生长研究被引量：9
- 2010年
- 采用分子束外延技术,利用RHEED图像可研究GaAs表面重构方式和生长机制。报道了一种新型的分子束外延方法,在RHEED实时监控下,利用GaAs(001)基片同质外延GaAs。通过改变生长和退火的时间与温度(420、500、580℃),结合RHEED图像演变与GaAs表面平整度(粗糙化)的联系,得到表面原子级平整的GaAs样品。完成生长后对样品做EDS分析,确定样品为高纯度GaAs。利用这种方法,得到厚度约为4μm砷化镓晶体。
- 罗子江周勋杨再荣贺业全何浩邓朝勇丁召
- 关键词：MBEEDS
- MBE系统中GaAs样品的RHEED分析被引量：1
- 2009年
- 本文根据在调试分子束外延(MBE)系统过程中,使用反射式高能电子衍射(RHEED)对GaAs样品实时监控得到的图片进行分析,从而总结出在MBE外延生长实验中对采用的GaAs样品的化学清洗方法。
- 黄旭潘金福王云周勋丁召
- 关键词：GAAS
- 用于MBE中的反射式高能电子衍射仪被引量：1
- 2009年
- 对用于分子束外延(MBE)中的反射式高能电子衍射仪(RHEED)的工作原理以及RHEED衍射强度振荡在测量外延生长速率的应用进行了详尽的阐述;针对样品盘与RHEED系统的兼容问题,对样品盘进行了新的设计,并进行了实验研究。
- 杨再荣潘金福周勋王基石宁江华丁召
- 关键词：分子束外延
- MBE生长GaAs薄膜表面形貌的RHEED图样研究被引量：1
- 2010年
- 本文通过在GaAs(100)单晶衬底上MBE生长GaAs过程中形成的RHEED衍射图样,对GaAs薄膜的表面形貌进行研究。分析GaAs表面粗糙和生长时不发生RHEED强度振荡的原因。讨论在生长GaAs时出现In(Ga)As/GaAs(100)体系的RHEED衍射图样这种异常现象的原因。
- 杨再荣周勋潘金福罗子江贺业全何浩丁召
- 关键词：分子束外延表面形貌
- InGaAs/GaAs异质薄膜的MBE生长研究被引量：11
- 2011年
- 利用分子束外延技术,在GaAs(001)基片上外延InGaAs/GaAs异质薄膜,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,确定薄膜中In/Ga的组分比,并提出控制InGaAs薄膜中In/Ga组分比的生长方法。根据RHEED图像,指出获得的InGaAs薄膜处于(2×3)表面重构相。样品经过淬火至室温后对样品做STM扫描分析,证实样品为表面原子级平整的InGaAs/GaAs异质薄膜。
- 罗子江周勋杨再荣贺业全何浩邓朝勇丁召
- 关键词：MBERHEEDSTM
- 反射式高能电子衍射实时监控的分子束外延生长GaAs晶体衬底温度校准及表面相变的研究被引量：21
- 2011年
- 以反射式高能电子衍射(RHEED)作为实时监测工具,根据GaAs(100)表面重构相与衬底温度、As4等效束流压强之间的关系,对分子束外延(MBE)系统中衬底测温系统进行了校准,这种方法也适用于其他的MBE系统.为生长高质量的外延薄膜材料、研究InGaAs表面粗糙化及相变等过程提供了实验依据.
- 周勋杨再荣罗子江贺业全何浩韦俊邓朝勇丁召
- 关键词：分子束外延温度校准
