国家教育部博士点基金(20070141038)
- 作品数：4 被引量：9H指数：2
- 相关作者：胡礼中张贺秋邱宇乔双双陈希更多>>
- 相关机构：大连理工大学马里兰大学辽宁师范大学更多>>
- 发文基金：辽宁省教育厅高校重点实验室项目国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电气工程电子电信更多>>
- 自催化脉冲激光沉积方法制备ZnO纳米棒阵列被引量：3
- 2009年
- 采用脉冲激光沉积方法在ZnO作为缓冲层的InP(100)衬底上制备了高密度ZnO纳米棒阵列.扫描电子显微镜图像显示ZnO缓冲层形成较为均匀的岛状结构,ZnO纳米棒具有垂直于衬底的统一生长方向.X射线衍射测试在34.46°出现尖锐的衍射峰,说明ZnO纳米棒具有(002)择优取向.PL谱在380nm出现强的近带边发射峰,在495nm出现弱的深能级发射峰,表明ZnO纳米棒具有较好的光学性质.本实验制备的高质量ZnO纳米棒阵列有望在现在和未来的纳米器件制作中得到应用.
- 于东麒胡礼中李娇胡昊林颂恩张贺秋陈希付强乔双双
- 关键词：氧化锌纳米棒阵列缓冲层自催化脉冲激光沉积
- CdS_xSe_(1-x)量子点异常的变温光致发光谱特性研究
- 2010年
- 采用一种简单的旋涂热蒸发方法在InP衬底上制备出CdSxSe1-x量子点.利用变温光致发光谱(温度范围:10～300K)研究CdSxSe1-x量子点的光学特性.在温度为180～200K范围内,光致发光谱的积分强度随温度升高呈现出一种异常现象.当温度由10K升至300K时,带隙能红移61.34meV.根据Vegard定律,由X射线衍射数据和室温光致发光谱峰位能量计算得到CdSxSe1-x量子点中S和Se的成分比为0.9:0.1.此外,通过光致发光谱峰位能量和曲线拟合得到CdS0.9Se0.1量子点材料Varshni关系参数为:α=(3.5±0.1)10-4eV/K,β=(210±10)K.
- 于东麒陈希张贺秋胡礼中乔双双孙开通
- 关键词：量子点
- ZnO微米刺球的CVD法生长及其在压电应力传感器中的应用被引量：2
- 2013年
- 利用化学气相沉积(CVD)方法生长出一种新颖的氧化锌(ZnO)微米刺球状结构,并使用该结构制备出一种新型压电应力传感器件。使用半导体特性分析系统(Keithley 4200)对器件特性进行测试,结果表明该种器件对所施加的应力高度敏感,开关比高达约60,比目前多数ZnO基压电应力传感器件高出数倍,在应力检测和机电开关等领域有很好的应用前景。
- 刘欣胡礼中张贺秋邱宇赵宇骆英民
- 关键词：氧化锌化学气相沉积开关比
- 生长和退火温度对磁控溅射法制备的ZnO薄膜性能的影响被引量：4
- 2010年
- 利用磁控溅射法于500℃、550℃、600℃和650℃下在A l2O3(001)衬底上生长ZnO薄。对生长的ZnO薄膜后分别进行了800℃退火和1000℃退火处理。利用X射线衍射(XRD)、霍尔测试仪和透射谱仪对薄膜的结构、电学和光学性质进行了研究,结果表明合适的生长温度和退火温度能够提高ZnO薄膜的结晶质量和性能。
- 王彬赵子文邱宇马金雪张贺秋胡礼中
- 关键词：ZNO薄膜磁控溅射退火处理
