内蒙古师范大学科研基金(YJS06008)
- 作品数：2 被引量：14H指数：2
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- Eu^(3+)、Ga^(3+)共掺杂SiO_2基质材料的制备及其发光性质被引量：12
- 2008年
- 通过溶胶-凝胶方法制备了稀土离子Eu3+和Ga3+共掺杂的SiO2材料;利用IR、XRD等研究了材料的结构,结果表明材料属于非晶态,800℃退火后样品的主要结构仍为SiO2的网状结构。400℃退火的样品在393nm激发下发射光谱显示了Eu3+的特征发射光谱,产生3条明显谱带,分别是576nm(5D0-7F0),588nm(5D0-7F1),612nm(5D0-7F2)。588nm(5D0-7F1)处的跃迁在800℃退火后发生猝灭,这是因为发光中心Eu3+的化学环境由于掺入Ga3+离子而发生了改变。Ga3+的共掺杂使材料在460nm处发射较强蓝光,在同一材料中实现了蓝色和红色的共发射。材料在460nm处蓝色荧光的强度随激发波长的增大而先增强后减弱。Ga3+或Eu3+的掺入量不同时,除发射强度不同外,材料的发射谱图基本相同。通过实验还确定800℃的退火温度为最佳退火温度。
- 王喜贵于振友娜米拉薄素玲
- 关键词：溶胶-凝胶方法发光性质
- Eu3+和Ga3+共掺杂SiO2基质材料的发光性质
- 用溶胶-凝胶方法制备了Eu与Ga共掺杂的SiO发光材料,通过三维荧光光谱、激发光谱和发射光谱测试分析了Eu与Ga共掺杂SiO发光材料的发光性质。研究发现Ga的掺入在材料中引入了蓝色荧光,在Eu和Ga共掺杂材料中实现了蓝色...
- 王喜贵于振友
- 关键词：共掺杂发光
- 文献传递
- Tb^(3+)和Ga^(3+)共掺杂的SiO_2发光材料的制备、表征及发光性质的研究被引量：2
- 2008年
- 通过溶胶-凝胶法制备了Tb3+、Ga3+共掺杂的Si O2发光材料,利用红外光谱、X射线衍射仪对其结构进行表征,通过三维、激发光谱和发射光谱对其发光性质进行分析.结果表明:经过700℃退火处理后的材料,其红外光谱只显示O-Si-O键的存在,表明水和有机物已完全除去;用544 nm作为监测波长测得的激发光谱符合三价稀土离子的激发规律;在230 nm光激发下得到4条Tb3+的特征发射谱带,分别是467 nm(5D3-7F6),492 nm(5D4-7F6),544 nm(5D4-7F5),583 nm(5D4-7F4),且来自5D3的跃迁在高温时由于交叉弛豫而猝灭;只掺杂Ga3+的材料在460 nm处发出强烈蓝光,Tb3+、Ga3+共掺杂Si O2材料在460 nm处蓝光急剧减弱,而对发光中心Tb3+544 nm处的5D4-7F5跃迁和492 nm处的5D4-7F6跃迁均有促进作用.此外,还分别研究了不同Ga3+或Tb3+的掺入量、退火温度对材料发光性质的影响.
- 王喜贵于振友娜米拉薄素玲
- 关键词：溶胶-凝胶技术发光性质
