国家自然科学基金(90101002)
- 作品数：7 被引量：11H指数：2
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- 相关机构：中国科学院武汉大学北京工业大学更多>>
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- 9.0μm GaAs基量子级联激光器的波导优化(英文)
- 2007年
- 通过转移矩阵法和有效折射率法计算了9·0μmGaAs基量子级联激光器波导的模式损耗和限制因子,从而对其波导结构进行优化.计算中考虑了各外延层的厚度、脊宽和腔长的影响.给出了在较低阈值下节约材料生长时间的各外延层厚度.
- 李路刘峰奇邵烨刘俊岐王占国
- 关键词：量子级联激光器转移矩阵法有效折射率法
- 电子束蒸发制备ZnO薄膜及其晶体结构和电学性质被引量：2
- 2004年
- 采用电子束蒸发法制备了ZnO薄膜,研究了退火温度及衬底对薄膜的结晶状况以及电学性质的影响.X射线衍射测试结果表明,相同蒸发条件下制备的ZnO薄膜,硅(100)衬底上薄膜晶粒尺寸为73nm,结晶情况明显好于陶瓷和玻璃衬底上的薄膜.退火之后,各种衬底上薄膜的结晶情况相对未退火时都有明显好转;400℃退火时,薄膜逐渐结晶;600℃退火时,ZnO薄膜体现良好的择优生长的趋势,晶粒长大,晶化程度提高,大部分晶粒发生了织构.在400℃退火后,掺入Al2O3的薄膜和未掺杂的ZnO薄膜的电阻率下降了一个多数量级,但掺入MgO的薄膜电阻率变大,这是由于MgO掺杂起到了补偿作用,掺入MgO有可能实现ZnO薄膜的p型掺杂.
- 孟宪权陈巍李惟芬张观明马飞王栋
- 关键词：电子束蒸发氧化锌薄膜电学性质P型掺杂
- 室温激射应变补偿5.5μm量子级联激光器(英文)
- 2005年
- 利用应变补偿和优化波导结构来提高量子级联激光器的性能,实现了波长为5.5μm量子级联激光器的室温激射.利用双晶X射线衍射实验对材料生长质量进行了检验.对于条宽为20μm,长为2mm的脊形波导激光器,室温最大输出功率为单腔面45mW.
- 路秀真刘峰奇刘俊岐金鹏王占国
- 关键词：量子级联激光器分子束外延激光器性能
- InAs量子点的结构及光学性质研究被引量：1
- 2005年
- 采用分子束外延技术在(001)GaAs衬底上生长了多层 InAs量子点,原子力显微镜观测了生长在表面的量子点,用透射电子显微镜观察到五层量子点截面像,傅立叶变换光谱仪测试量子点光致发光谱.原子力显微镜以及透射电镜观察结果表明:第一层量子点为椭圆状;上面四层为透镜状量子点,呈现明显的垂直对准,且量子点的密度下降,大小趋向一致.样品中有些位置不同层的量子点连成一线,其边缘存在应力.由于第一层量子点与其他四层量子点的大小、形状不同,导致量子点光致发光峰的半高宽增加.
- 孟宪权张华刚刘天志
- 关键词：量子点分子束外延透射电子显微镜光致发光
- Al_xGa_(1-x)As/GaAs分布布拉格反射镜的湿法氧化(英文)被引量：1
- 2005年
- 对垂直腔面发射激光器(VCSEL)的AlxGa1-xAs/GaAs分布布拉格反射镜(DBR)进行了高温湿法氧化.由于AlxGa1-xAs层的氧化产生了应力而导致Al2O3/GaAs界面处出现了孔洞.这些孔洞反过来又缓解了应力而使氧化层的厚度只收缩了8%而不是理论上的20%.并且,随着氧化时间的延长,湿法氧化反应中的反应物和产物沿着多孔界面在氧化物中的传输越充分,从而使AlGaAs层的氧化进行的越完全,氧化质量就越好.
- 李若园王占国徐波金鹏张春玲郭霞陈敏
- 关键词：垂直腔面发射激光器分布布拉格反射器
- GaAs基量子级联激光器材料结构设计的进展被引量：5
- 2004年
- GaAs基量子级联激光器的出现,在器件的设计制作和处理工艺上开辟了有意义的前景。本文概述了近年来GaAs基量子级联激光器在波导核心层、波导以及光学谐振腔方面设计的原理、进展,并介绍了一些新颖的结构。
- 刘俊岐刘峰奇车晓玲黄秀颀雷文王占国
- 关键词：量子级联激光器波导谐振腔
- 7.8μm二级分布反馈量子级联激光器被引量：2
- 2005年
- 报道了基于应变补偿的InP基In0.53+xGa0.47-xAs／In0.52-yAl0.48+yAs分布反馈量子级联激光器．采用二级光栅作为反馈，激射工作波长为7．8μm，在1％占空比，5kHz频率的工作条件下，在93～173K的温度范围内，单模发射光谱边模抑制比均超过20dB，调谐系数dλ／dT=0．5125nm／K．在93K时，峰值功率为30mW，直到153K时，峰值光功率仍达到12mW．
- 郭瑜刘峰奇刘俊岐路秀真王占国
- 关键词：量子级联激光器分子束外延
