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衬底温度对ZnS薄膜微结构和应力的影响被引量：2: 2006年; 采用射频磁控溅射法分别在不同温度衬底上制备了厚度为320nm的ZnS薄膜，用XRD和光学相移技术研究了不同衬底温度下薄膜的微结构和应力。结果表明：不同温度衬底上沉积的ZnS薄膜均呈多晶状态，衬底温度由50℃上升到400℃的过程中，其择优取向发生了变化，晶粒有明显的生长方向；ZnS薄膜应力随着衬底温度升高逐渐减小，衬底温度在250～350℃之间的ZnS薄膜应力较小且在选区内分布比较均匀。; 江锡顺曹春斌蔡琪宋学萍孙兆奇; 关键词：ZNS薄膜衬底温度微结构应力

氩气分压与膜厚对溅射Al膜微结构及应力的影响被引量：1: 2004年; 在不同氩气分压下,用直流溅射法在室温Si基片上制备了不同厚度的Al膜。用光学干涉相移法和X射线衍射技术,对薄膜应力和微结构进行了测试分析。微结构分析表明:制备的Al膜均呈多晶状态,晶体结构仍为面心立方;氩气分压分别为1Pa和3Pa的Al膜相比,1Pa下制备的薄膜结晶程度明显优于3Pa下制备的薄膜。1Pa下Al膜平均晶粒尺寸随膜厚的增加由17.9nm逐渐增大到26.3nm;晶格常数由0.4037nm增大到0.4047nm,均比标准值0.40496nm稍小。应力分析表明:同一工作气体压强(氩气分压)下,Al膜的平均应力随着膜厚的增加变小,应力分布趋向均匀。相同时间1Pa和3Pa的Al膜,其微结构和应力有较大差别。; 宋学萍孙兆奇; 关键词：微结构应力

有效介质近似在Cu-MgF_2复合纳米颗粒薄膜光学性质中的适用性研究被引量：2: 2006年; 采用射频磁控共溅射技术制备了Cu体积分数分别为15％和30％的Cu—MgF2复合纳米颗粒薄膜。透射电镜形貌图像表明，薄膜由不同形状的Cu晶态纳米微粒镶嵌于主要为非晶态的MgF2陶瓷基体中构成。用椭偏光谱技术计算得到Cu—MgF2复合薄膜在270-830nm波段的光学常数谱。用考虑颗粒形状效应的有效介质近似计算得到Cu—MgF2复合薄膜在相同波段的光学常数谱。谱相结合，分析讨论了Cu—MgF2复合薄膜的光学特性。把两样品的透射电镜形貌图像与光学常数理论谱、实验结果表明：去极化因子取值0．33的麦克斯韦-噶尼特（Maxwell-Garnett）模型可以较好地解释Cu体积分数为15％的Cu—MgF2复合薄膜的光学性质，而去极化因子取值0．6的布鲁格曼（Bruggeman）模型可以较好地解释Cu体积分数为30％的Cu—MgF2复合薄膜的光学性质。; 王佩红戴旭涵赵小林宋学萍孙兆奇; 关键词：薄膜光学光学性质光学常数

溅射超薄Ag膜中的晶格畸变被引量：1: 2006年; 用直流溅射法制备了厚度从11.9到189.0 nm的超薄Ag膜。X射线衍射(XRD)分析表明:样品中的Ag均为面心立方多晶结构,粒径从6.3到14.5 nm。通过晶格常数的计算发现:晶格畸变为收缩,且随着粒径的减小收缩率增加,最大值为1.1%。结合不同方法制备纳米Ag材料的研究结果,讨论了影响晶格畸变的主要因素。; 孙兆奇曹春斌宋学萍; 关键词：晶格畸变

Au-MgF_2复合纳米颗粒薄膜的多重分形研究: 2005年; 用透射电镜(TEM)测定了采用射频磁控共溅射法制备的金属体积分数在6.0%～62.6%之间的Au-MgF2复合纳米颗粒薄膜的形貌,用多重分形谱描述了不同体积分数薄膜中Au颗粒的空间分布均匀性及其尺寸分布.结果表明:随着Au体积分数的增大,多重分形谱的宽度Δα先增大后减小,说明薄膜中Au颗粒的空间分布不均匀性先增加后减小.当Au体积分数达到某一临界值(在26.5%至38.2%之间)时,Δf从小于零向大于零发生转变,此时薄膜中Au颗粒的尺寸分布,由较大程度上取决于体积最小Au颗粒,向较大程度上取决于体积最大Au颗粒过渡.; 吕建国高清维孙兆奇; 关键词：多重分形谱 TEM 体积分数

Au-MgF2复合纳米颗粒薄膜的制备和微结构: 用射频磁控共溅射法制备了Au体积分数分别为6%、15%、25%、40%、50%和60%的Au-MgF2复合纳米颗粒薄膜。用X射线衍射、透射电镜、X射线光电子能谱对薄膜的微结构和组分进行了测试分析,分析结果表明:制备的Au...; 蔡琪王磊王佩红宋学萍孙兆奇; 关键词：微结构; 文献传递

Ag-MgF_2复合纳米金属陶瓷薄膜的渗透阈研究被引量：8: 2006年; 介绍了几种计算纳米金属颗粒镶嵌于陶瓷基体中而形成的复合纳米金属陶瓷薄膜渗透阈的理论方法,分析了理论方法中所运用模型的特点及其精度.并将Landauer有效介质理论和Priou渗透阈理论应用于Ag-MgF2复合纳米金属陶瓷薄膜的渗透阈计算,所得值分别为0·08和0·14(Ag的体积分数),按Priou渗透阈理论计算的结果与实验结果相符.最后讨论了影响复合金属陶瓷薄膜体系渗透阈的主要因素.; 曹春斌蔡琪江锡顺宋学萍孙兆奇

MgF_2在变温过程中的结构变化研究: 2003年; 　采用X射线衍射仪高温附件测定了MgF2粉末从室温至1000℃的温度范围内的XRD谱,用Rietveld全谱拟合方法精化了各个温度下的相关参数。研究发现:置于大气中的纯MgF2高温易氧化,在700℃左右存在一个异常膨胀区,MgF2的两个F原子随温度升高有一种围绕Mg原子转动的趋势。; 刘艳美赵宗彦李爱侠杨坤堂韩家骅孙兆奇; 关键词：电子陶瓷 MGF2 XRD 固态相变

退火温度对硅基溅射银膜微结构和应力的影响被引量：10: 2003年; 　用直流溅射法在硅(111)基底上制备银膜,膜厚为380nm。用BGS6341型电子薄膜应力分布测试仪对膜应力随退火温度的变化进行了研究,结果表明:膜应力随着退火温度的升高而增大,在400℃退火温度下膜应力变化明显。用MXP18AHF型X射线衍射仪测量了膜的衍射谱,对膜微结构随退火温度的变化进行了讨论。制备的Ag膜仍为面心立方结构,呈多晶状态,平均晶粒尺寸为23.63nm,薄膜晶格常数(0.40805nm)比标准样品晶格常数(0.40862nm)稍小。; 吴桂芳宋学萍杨成浩江兵孙兆奇; 关键词：退火温度薄膜应力微结构

在Si基底上真空蒸发沉积Ag-MgF_2复合薄膜的内应力研究被引量：2: 2003年; 　报道了用电子薄膜应力分布测试仪测量了不同温度、不同厚度的Ag MgF2复合薄膜的内应力变化情况,得到了基底温度(退火温度)在300～400℃范围内薄膜平均应力最小,且处于张应力向压应力转变区域。XRD分析表明,在Ag MgF2复合薄膜中Ag对复合薄膜内应力的影响大于MgF2。; 李爱侠孙大明孙兆奇宋学萍赵宗彦刘艳美; 关键词：真空蒸发沉积内应力微结构

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