您的位置： 专家智库 > >

国家重点基础研究发展计划(2005CCA00100)

作品数：2 被引量：6H指数：2
相关作者：赵亮王海波陈素华马继开王德君更多>>
相关机构：大连理工大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇4H-SIC
  • 1篇低温退火
  • 1篇电子谱
  • 1篇电阻
  • 1篇碳化硅
  • 1篇退火
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇氢等离子体
  • 1篇接触电阻率
  • 1篇光电
  • 1篇光电子
  • 1篇比接触电阻
  • 1篇比接触电阻率
  • 1篇SIO
  • 1篇TI
  • 1篇X射线
  • 1篇X射线光电子...
  • 1篇4H-碳化硅
  • 1篇X

机构

  • 2篇大连理工大学

作者

  • 2篇马继开
  • 2篇陈素华
  • 2篇王海波
  • 2篇赵亮
  • 1篇王德君

传媒

  • 2篇半导体技术

年份

  • 2篇2008
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
低温退火制备Ti/4H-SiC欧姆接触被引量：2
2008年
实现SiC器件欧姆接触常规工艺需要800—1200℃的高温退火。研究了n型4H-SiC低温制备Ti欧姆电极的工艺及其基本电学特性。通过氢等离子体处理4H-SiC的表面，沉积Ti后可直接形成欧姆接触，室温下比接触电阻率ρc为2．25×10^-3Ω·cm^2（ρc由圆形传输线模型CTLM测得），随着合金温度的升高，其欧姆特性逐渐增强，400℃合金后获得最低的比接触电阻率ρc为2．07×10^-4Ω·cm^2。采用X射线衍射（XRD）确定金属／n-SiC界面反应时形成的相，以分析电学性质与微观结构间的联系。最后讨论了低温欧姆接触的形成机制。
陈素华王海波赵亮马继开
关键词：氢等离子体欧姆接触比接触电阻率
用XPS法研究SiO_2/4H-SiC界面的组成被引量：4
2008年
利用X射线光电子谱（XPS）研究了高温氧化形成的Si02／4H．SiC界面的化学组成。获取低浓度HF酸刻蚀速度基础上制备出超薄氧化膜（1～1．5nm）样品，并借助标准物对照法辅助谱峰分析。结果表明，高温氧化Si02／4H．SiC界面，类石墨碳较多，除Si^＋成分外，还存在Si^2＋和Si^3＋两种低值氧化物。三种工艺处理后界面成分含量的对比，指出界面成分可通过合理工艺有效控制，以C-V测试曲线印证了界面成分减少对电学特性的改善。
赵亮王德君马继开陈素华王海波
关键词：4H-碳化硅X射线光电子谱
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0