广西教育厅科研项目(200807MS044)
- 作品数：4 被引量：6H指数：2
- 相关作者：肖剑荣蒋爱华王德安梁业广更多>>
- 相关机构：桂林理工大学桂林电子科技大学中南大学更多>>
- 发文基金：广西教育厅科研项目博士科研启动基金中南大学博士后科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 氟化非晶碳膜的微结构分析被引量：1
- 2009年
- 利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法,在不同的温度下制备了氟化非晶碳膜。采用原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶红外吸收光谱(FTIR)等仪器对薄膜微结构进行了表征。研究发现,氟化非晶碳膜微观结构与薄膜生长过程温度控制密切相关,温度升高,膜内键合结构变化,sp2相对含量增加。
- 蒋爱华肖剑荣
- 关键词：氟化非晶碳薄膜PECVD微结构沉积温度
- 氮化铜薄膜的研究被引量：3
- 2009年
- 氮化铜(Cu3N)薄膜是一种新型的电、光学材料,它具有典型的反三氧化铼结构,由于Cu原子没有很好地占据(111)晶格面的紧密位置,在薄膜中掺杂之后,薄膜的电、光学性质会发生显著变化。Cu3N在较低温度下会分解为Cu和N2。介绍了Cu3N的制备方法,总结了该膜制备方法和工艺参数对薄膜结构的影响,分析了在不同N2分压下薄膜由(111)晶面转向(100)晶面择优生长和薄膜定向生长的原因,讨论了薄膜的电学、光学、热学等物理性质及其在相关方面的应用,并对该膜的物理性质与结构之间的关系作了简要分析。
- 肖剑荣蒋爱华
- 关键词：光学带隙热稳定性磁控溅射
- 氟化非晶碳膜结构的Raman和FTIR研究被引量：2
- 2010年
- 利用反应射频磁控溅射法,以单晶Si片为衬底,在不同功率下制备了氟化非晶碳膜样品,并进行了不同温度的退火处理。采用拉曼光谱、傅里叶变换红外光谱和原子力显微镜对样品的结构进行了表征。通过谱线Lorentzian分峰拟合方法,分析比较了不同功率下制备的氟化非晶碳膜sp杂化结构,得到了薄膜生长过程功率控制与结构的关系,功率增大、退火温度升高,膜内sp2相对含量增加。退火温度达到350℃时,薄膜中石墨结构明显增加。
- 肖剑荣蒋爱华
- 关键词：拉曼光谱溅射功率退火
- 氟化类金刚石薄膜介电性能研究
- 2010年
- 采用射频等离子体增强化学气相沉积法制备了氟化类金刚石薄膜。利用俄歇电子能谱、绝缘电阻测试仪、耐压测试仪和QS电桥对样品组分和介电性能进行了表征、分析。结果表明：薄膜的介电常数εr在2.07~2.65之间,绝缘电阻在245 MΩ左右,击穿场强在2.1 MV/cm以上,它们与膜内F的含量密切相关。
- 肖剑荣王德安梁业广
- 关键词：氟化类金刚石薄膜绝缘电阻介电常数
