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国家科技重大专项(2009ZX02306-04)

作品数：1 被引量：2H指数：1
相关作者：李蕾蕾周昕杰肖志强于宗光更多>>
相关机构：电子科技大学中国电子科技集团第五十八研究所东南大学更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇总剂量
  • 1篇总剂量辐照
  • 1篇阈值
  • 1篇辐照
  • 1篇SOI
  • 1篇SONOS
  • 1篇EEPROM

机构

  • 1篇东南大学
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇于宗光
  • 1篇肖志强
  • 1篇周昕杰
  • 1篇李蕾蕾

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
SOI SONOS EEPROM总剂量辐照阈值退化机理研究被引量：2
2011年
阈值退化是器件特性退化最重要的表征.本文以研究SOISONOSEEPROM器件的前栅和背栅阈值电压在辐照环境下的漂移为入手点,深入研究了在辐照情况下器件的退化;并从物理能带和载流子漂移的角度,分析了导致阈值电压漂移的物理机理,提出了提高器件性能的措施.
李蕾蕾于宗光肖志强周昕杰
关键词：SONOSEEPROMSOI辐照
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共1页<1>
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