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教育部科学技术研究重点项目(20165)

作品数：1 被引量：1H指数：1
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文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇光致发光特性
  • 2篇发光
  • 2篇发光特性
  • 2篇SNO2薄膜
  • 2篇APCVD

机构

  • 2篇山东大学
  • 1篇山东师范大学

作者

  • 2篇计峰
  • 1篇余旭浒
  • 1篇程传福
  • 1篇王玉恒
  • 1篇马瑾
  • 1篇马洪磊
  • 1篇宗福建

传媒

  • 1篇功能材料

年份

  • 2篇2004
共 1 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
APCVD方法制备SnO2薄膜的结构和光致发光特性
采用常压化学气相沉积法(APCVD)在玻璃村底上制备出SnO2薄膜,对薄膜的结构和光致发光性质及退火处理对薄膜结构和发光特性的影响进行了研究。制备SnO2薄膜为六角金红石结构,最大晶粒尺寸约为1000nm。室温光致发光(...
计峰马瑾王玉恒余旭浒宗福建程传福马洪磊
关键词：APCVD光致发光
文献传递
APCVD方法制备SnO2薄膜的结构和光致发光特性被引量：1
2004年
采用常压化学气相沉积法(APCVD)在玻璃衬底上制备出SnO2薄膜,对薄膜的结构和光致发光性质及退火处理对薄膜结构和发光特性的影响进行了研究.制备SnO2薄膜为六角金红石结构,最大晶粒尺寸约为1000nm.室温光致发光(PL)谱测量表明,在396nm处存在强的发光峰.研究了退火处理对发光性质的影响,并对辐射机理进行了探索.
计峰马瑾王玉恒余旭浒宗福建程传福马洪磊
关键词：APCVD光致发光
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