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江苏省高技术研究计划项目(BG2007004)

作品数:20 被引量:112H指数:6
相关作者:田宗军刘志东黄因慧邱明波汪炜更多>>
相关机构:南京航空航天大学更多>>
发文基金:江苏省高技术研究计划项目国家自然科学基金江苏省科技支撑计划项目更多>>
相关领域:金属学及工艺理学机械工程动力工程及工程热物理更多>>

文献类型

  • 20篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 21篇金属学及工艺
  • 4篇理学
  • 2篇机械工程
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 14篇电火花
  • 8篇线切割
  • 7篇电火花线
  • 7篇电火花线切割
  • 7篇硅片
  • 5篇电阻
  • 5篇太阳能级
  • 5篇太阳能级硅
  • 5篇工作液
  • 5篇复合工作液
  • 4篇单晶
  • 4篇单晶硅
  • 3篇低电阻率
  • 3篇电火花加工
  • 3篇电火花线切割...
  • 3篇电阻率
  • 3篇太阳能
  • 3篇线切割加工
  • 3篇
  • 2篇电池

机构

  • 23篇南京航空航天...

作者

  • 23篇刘志东
  • 23篇田宗军
  • 22篇黄因慧
  • 19篇汪炜
  • 18篇邱明波
  • 5篇毕勇
  • 3篇刘正埙
  • 3篇胡燕伟
  • 2篇李建军
  • 2篇程国柱
  • 2篇王亮
  • 2篇史勇
  • 1篇肖任勤

传媒

  • 7篇电加工与模具
  • 3篇机械科学与技...
  • 2篇光学学报
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇机械工程学报
  • 1篇南京航空航天...
  • 1篇西南交通大学...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇模具制造
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇第13届全国...
  • 1篇2007年中...

年份

  • 1篇2011
  • 4篇2010
  • 8篇2009
  • 7篇2008
  • 3篇2007
20 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
进电材料及压力对半导体放电加工接触电阻的影响被引量:5
2010年
为了减小半导体放电加工中的接触电阻,首先采用具有不同功函数的材料对P型硅进电,进行伏安特性测试,得出当进电材料的功函数与半导体材料功函数相近时接触电阻比较小;其次对在不同接触压力下的P型硅进行了伏安特性测试,结论表明压力越大进电材料与半导体之间的平均间隙越小进而接触电阻越小;再次利用电火花线切割(WEDM)对P型硅加工对上述结论进行了实验验证。最后提出了两项有利于减小半导体接触电阻的工艺措施,以便更好地指导半导体材料的放电加工。
胡燕伟刘志东邱明波汪炜田宗军毕勇黄因慧
关键词:放电加工半导体接触电阻接触压力
低电阻率单晶硅电火花/电解复合切割表面完整性研究
随着半导体产业应用需求不断扩大和晶硅原料供应的严重短缺,大尺寸超薄硅片切割技术日益成为缓解这一矛盾的重要途径之一。除了传统的内圆切割和多线切割方法之外,近年来,基于无切削力放电原理的电火花线切割加工方法被引入该技术领域,...
汪炜刘志东田宗军黄因慧刘正埙
关键词:低电阻率硅片
文献传递
基于光子发射的电火花加工电极能量分布研究被引量:1
2009年
为了研究电火花加工过程的机理,基于光子发射计算了阴极、阳极的能量分布。首先得到了放电通道中的正离子及电子的物质波长,发现正离子主要以振动的形式运动在放电通道中向外辐射光子,而电子主要以衍射的形式运动在阳极表面向外辐射光子。通过假设光子以等概率的形式辐射,计算了阴极、阳极表面获得的热流密度、热流量以及平均热流密度的方程,重新解释了小脉宽电流加工的明显极性效应,以及大脉宽条件下的不明显极性效应。最后,阐述了这一原理对电火花微细加工,精加工以及粗加工的影响,说明小脉宽电流应该用正极性加工且可设法压缩放电通道提高精度,大脉宽应该用负极性加工且不必压缩放电通道提高效率及表面质量。
邱明波黄因慧刘志东田宗军汪炜
关键词:光电子学电火花极性效应
太阳能发电用P型单晶硅放电切割特性研究被引量:1
2009年
通过对P型太阳能发电用单晶硅进行伏安特性测试,检测其在直流脉冲电压下的通电电流,从进电方式和极性选择方面研究了其特殊的电特性,建立了试验的二极管电阻(DR)电路模型,测试发现P型单晶硅具有单向导通性。随后对电阻率2.1Ω.cm的P型太阳能发电用单晶硅进行了放电切割,分别抓取了单脉冲放电电压、电流波形,进一步研究了电特性极其复杂的P型单晶硅在硅片实际切割过程中展现出来的特殊放电切割特性,发现P型单晶硅的切割电流波形呈"斜坡"式,切割后的硅片表面形貌呈"贝壳"状。结果表明,进电有效接触面积越大,P型单晶硅材料的极间电阻就越小,切割电流也就越高,同时对于P型单晶硅放电切割宜采用正极性加工。
毕勇刘志东邱明波汪炜田宗军黄因慧
关键词:
锗晶体放电加工特性及进电方式研究被引量:3
2011年
研究N型锗晶体放电加工中体现的单向导通性、表面电化学现象以揭示其特殊放电加工特征。试验发现N型锗晶体放电加工无法持续,其主要原因是进电接触面产生电解并生成不导电、不溶解的氧化物且阻塞在进电接触面缝隙内。为避免在进电接触区产生电解,设计表面涂覆碳浆进电法;为避免进电接触区产生不导电、不溶解氧化物,设计了电极随动进电法,并对这两种进电方式进行试验比较。结果表明,前者可以在一定时间内改善N型锗晶体进电,但仍不能达到长期稳定进电的效果,而后者则可以保障极间获得稳定和较小的极间电阻及持续稳定的进电效果。通过放电切割试验初步揭示半导体材料放电加工体现的放电期间电流爬坡上升、放电蚀除以热应力蚀除为主、极性效应需要进行拓展性解释等特殊的半导体材料放电加工特性。
刘志东邱明波汪炜田宗军黄因慧
关键词:半导体放电加工
进电方式对P型硅极间电阻影响的试验研究被引量:2
2009年
研究了不同进电方式条件下P型硅极间电阻的变化特征,并从进电有效接触面积的角度对其进行分析。通过对电阻率4.7Ω.cm的P型硅进行放电切割,获取的单脉冲放电电压、电流波形验证了试验分析的正确性。结果表明,面进电方式下P型硅的极间电阻最小,且进电有效接触面积越大,P型硅的极间电阻就越小,放电切割电流就越大。
毕勇刘志东邱明波汪炜田宗军胡燕伟黄因慧
关键词:
进电方式对太阳能级硅体电阻影响的基础研究被引量:12
2008年
电火花加工太阳能级硅,硅的体电阻是影响加工效率的决定因素,而不同的进电方式会使硅有不同的体电阻。基于欧姆定律的均匀柱形导体电阻公式和电导公式,推导出硅点、线、面等不同进电方式下的体电阻计算公式,发现点接触形式下体电阻与点附近的材料性质、接触形式密切相关,增加线的长度可减小线接触体电阻,而减小材料尺寸是减小面接触体电阻的有效方法。最后用27 V恒压电源伏安法测量硅的通电电流,电阻的计算结果与点-点接触之间的体电阻计算值相符。
邱明波黄因慧刘志东田宗军汪炜
关键词:体电阻电火花加工太阳能级硅
太阳能硅片电火花电解复合切割制绒机理研究被引量:7
2009年
提出了一种基于复合工作液的以电火花电解复合加工技术对太阳能硅片进行切割及制绒一体化的新方法。试验表明高速走丝电火花线切割(WEDM-HS)对太阳能硅片切割具有效率高、厚度薄、切缝窄、表面可直接形成绒面结构,表面无明显微裂纹且切割表面不存在电极丝金属残余;在硅表面放电凹坑内由于高温电解复合作用会形成密集、壁面光滑且高深径比的微孔洞结构;绒面结构不受硅材料特别是多晶硅各向同性的影响,且获得的表面反射率略低于目前制绒方法的表面等特性。
刘志东汪炜邱明波田宗军黄因慧
关键词:复合工作液
太阳能级P型硅放电切割电流特性被引量:6
2010年
为了提高太阳能级硅材料放电切割的效率,基于理论建模的方法,将硅材料放电切割过程抽象为简单的二极管-电阻电路模型,在恒压源的作用下分析其放电电流特性.理论推导发现,影响回路电流的主要因素是放电端二极管及体电阻的作用,随着放电温度的升高,二极管雪崩压降增大,阻碍了电流流过,热传导作用体电阻减小,促进电流流过,综合作用后,放电电流呈现出两边高中间平缓的U型曲线.在电火花线切割机床上加工电阻率2.1Ω.cm的P型太阳能级硅,抓取放电单脉冲电流波形,结果显示:放电电流从开始的4 A下降到3.2 A,到放电结束时,上升到5.2 A.实验结果与理论推导的放电电流特性一致.
邱明波刘志东汪炜田宗军黄因慧
关键词:太阳能级硅电火花线切割放电电流体电阻
低电阻率单晶硅电火花/电解复合切割表面完整性研究
随着半导体产业应用需求不断扩大和晶硅原料供应的严重短缺,大尺寸超薄硅片切割技术日益成为缓解这一矛盾的重要途径之一。除了传统的内圆切割和多线切割方法之外,近年来,基于无切削力放电原理的电火花线切割加工方法被引入该技术领域,...
汪炜刘志东田宗军黄因慧刘正埙
关键词:低电阻率硅片
文献传递
共3页<123>
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