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国防科技工业技术基础科研项目(513110501)
作品数:
1
被引量:6
H指数:1
相关作者:
张书霞
张林
张玉明
张义门
王悦湖
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相关机构:
西安电子科技大学
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发文基金:
国防科技工业技术基础科研项目
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2008
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4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析
被引量:6
2008年
在研究反偏压4H-SiC肖特基二极管作为γ射线探测器工作机理的基础上建立了数值模型,模拟了不同偏压和辐照剂量率下探测器的暗电流、工作电流和灵敏度。模拟结果表明:探测器的灵敏度随反向偏压的增加而上升;对于Au/SiC肖特基二极管,有源区掺杂数密度为2.2×1015cm-3时,0 V偏压下探测器的灵敏度为13.9×10-9C/Gy,100 V偏压下为24.5×10-9C/Gy。计算结果与实验数据符合得较好。
张林
张义门
张玉明
张书霞
汤晓燕
王悦湖
关键词:
肖特基二极管
Γ射线
探测器
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