天津市应用基础与前沿技术研究计划(06YFJZJC01100)
- 作品数：3 被引量：9H指数：2
- 相关作者：姚江宏贾国治舒永春王占国皮彪更多>>
- 相关机构：南开大学天津城市建设学院中国科学院更多>>
- 发文基金：天津市应用基础与前沿技术研究计划国家自然科学基金长江学者和创新团队发展计划更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 光致发光谱研究自组织InAs双模量子点态填充
- 2007年
- 采用固态源分子束外延技术在GaAs(100)衬底上,制备了InAs量子点,对样品进行原子力显微镜测试,统计结果表明量子点尺寸呈双模分布。光致发光谱研究表明,在室温和77K下,小量子点的发光峰均占主导地位,原因可能是:(1)大量子点的态密度小于小量子点;(2)捕获载流子速率,大量子点小于小量子点;(3)大量子点与盖层存在较大的应变势垒和可能出现的位错和缺陷,导致温度变化引起载流子从小尺寸量子点转移到大尺寸的量子点中概率很小。
- 贾国治姚江宏张春玲舒强刘如彬叶小玲王占国
- 关键词：光致发光谱量子点
- 近红外波段InAs量子点结构与光学特性被引量：3
- 2007年
- 采用分子束外延技术,分别在480,520℃的生长温度下,制备了淀积厚度2.7ML的InAs/GaAs量子点。用原子力显微镜对样品进行形貌测试和统计分布。结果表明,在相应的生长温度下,量子点密度分别为8.0×1010,5.0×109cm-2,提高生长温度有利于获得大尺寸的量子点,并且量子点按高度呈双模分布。结合光致发光谱的分析,在480℃的生长条件下,最近邻量子点之间的合并导致了量子点尺寸的双模分布;而在525℃的生长温度下,In偏析和InAs解析是形成双模分布的主要原因。
- 贾国治姚江宏舒永春王占国
- 关键词：量子点分子束外延光致发光原子力显微镜
- 生长温度和结构参数对InGaAs／GaAs量子阱光学特性的影响被引量：6
- 2008年
- 研究了不同生长温度下制备的In0.15Ga0.85As/GaAs应变量子阱的PL谱,结果表明,生长温度越高,In偏析和In-Ga互混越严重,同时,导致更多的In脱附,PL谱发光峰蓝移。对不同In含量的和不同InGaAs厚度的InGaAs/GaAs量子阱进行PL谱测试,分析表明In含量<0.2,生长温度低于560℃时,In含量和InGaAs层量子阱的厚度对In偏析、脱附和In-Ga互混基本没有影响。
- 贾国治姚江宏舒永春邢晓东皮彪
- 关键词：应变量子阱偏析光致发光谱
