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中国电子科技集团公司创新基金(JJ06002)

作品数：1 被引量：4H指数：1
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇气相
  • 1篇气相沉积
  • 1篇气相沉积法
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体生长
  • 1篇高温
  • 1篇高温化学

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇韩栋梁

传媒

  • 1篇科技情报开发...

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
高温化学气相沉积法生长碳化硅晶体(HTCVD)被引量：4
2009年
研究了SiC晶体高温化学气相沉积生长机理,从SiC晶体高温化学气相沉积生长过程的化学原理、反应条件、反应过程、一般工艺等方面进行探讨,并分析了沉积温度、气体压力、本底真空及各反应气体分压(配比)对SiC单晶生长及其缺陷形成的影响,基于以上分析,得出高温化学气相沉积法生长碳化硅晶体最佳的工艺条件。
韩栋梁
关键词：晶体生长
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共1页<1>
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