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国家自然科学基金(619220090032)

作品数:2 被引量:6H指数:2
相关作者:李瑛娟陈清明马吉更多>>
相关机构:昆明理工大学更多>>
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相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电性能
  • 1篇压电
  • 1篇压电陶瓷
  • 1篇陶瓷
  • 1篇微观结构
  • 1篇稀土
  • 1篇稀土掺杂
  • 1篇介电
  • 1篇介电性
  • 1篇介电性能
  • 1篇固相烧结
  • 1篇PZT压电陶...
  • 1篇ZNO
  • 1篇掺杂
  • 1篇ZNO薄膜
  • 1篇PB

机构

  • 2篇昆明理工大学

作者

  • 2篇陈清明
  • 2篇李瑛娟
  • 1篇马吉

传媒

  • 1篇热加工工艺
  • 1篇材料导报

年份

  • 2篇2012
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
过量Pb对PZT压电陶瓷微观结构和介电性能的影响被引量:4
2012年
在准同型相界MPB附近即Zr/Ti比为52/48时采用固相烧结法分别制备了过量Pb含量分别为0at%、5at%、10at%、15at%的PZT压电陶瓷。分别采用TG/DSC分析仪、X射线衍射仪、扫描电镜和阻抗分析仪LCR分析了粉体的热分解温度;表征了PZT压电陶瓷的微结构;讨论了过量Pb对PZT陶瓷的介电性能的影响。结果表明:在Pb过量依次为0at%、5at%、10at%、15at%,1200℃烧结2 h时,均得到了晶界清晰,晶粒尺寸分布均匀,具有纯钙钛矿结构的PZT压电陶瓷。同时在1 KHz时,PZT靶材的介电常数随过量Pb含量的增大先增大后减小,并在x(Pb)=10at%时介电常数达到最大值298,且介电损耗为0.0984。所制备的压电陶瓷均可用在磁控溅射或脉冲激光沉积镀膜中,这为压电薄膜的制备奠定了基础。
李瑛娟陈清明
关键词:PZT压电陶瓷固相烧结微观结构介电性能
稀土掺杂ZnO薄膜的研究进展被引量:2
2012年
综述了近年来国内外稀土掺杂ZnO薄膜的研究现状,总结了稀土掺杂的方式及稀土掺杂对ZnO薄膜的结构、光、电、磁学性能以及抗腐蚀性能的影响,并介绍了稀土掺杂ZnO薄膜在气敏传感器方面的应用,最后探讨了稀土掺杂ZnO薄膜存在的问题及今后可能的研究方向。
李瑛娟陈清明马吉
关键词:ZNO稀土掺杂
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