国家自然科学基金(51172051)
- 作品数：3 被引量：6H指数：2
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- 交变电场下SiC/Ti扩散连接过程中原子扩散和界面反应被引量：1
- 2016年
- 为研究交变电场对界面处原子扩散行为及界面反应的影响,将交变电场引入SiC与Ti的扩散连接过程,采用扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线衍射(XRD)及剪切性能测试等手段研究了交(直)流电场及电场强度对SiC/Ti扩散连接界面结构、原子扩散、剪切强度的影响,探讨了电场辅助扩散连接的物理机制.研究结果表明:在空洞闭合阶段,电压会使得界面处产生极大的镜像吸附力,使两个表面结合更加紧密,界面吸附力随着外加电压的增大和界面间距的减小而增大;在扩散反应阶段,施加电压会使界面处原子扩散通量增加,即外电压会促进SiC和Ti扩散连接界面处原子的扩散,电压越大,促进作用越明显.直流电压作用下扩散连接界面有正负极效应,而交流电压作用下无此效应.在950℃/1.5 h/7.5 MPa条件下施加400 V交流电压扩散连接接头强度达到63.8±9.4 MPa,界面反应层的相结构为SiC/Ti C/Ti C+Ti5Si3/Ti.电场可在一定程度上促进界面原子的扩散,提高连接效率.
- 孙东立张宁波王清李其海韩秀丽
- 关键词：SICTI电场
- 陶瓷与金属扩散连接和场致扩散连接研究现状和进展被引量：2
- 2012年
- 连接技术是材料加工和实际工程应用的热点内容,而扩散连接技术是实现陶瓷和金属可靠连接的主导方法之一。主要介绍了扩散连接的工艺、接头元素扩散与界面反应以及残余应力分析等,并在此基础上简介了场致扩散连接的工艺及其界面反应机理,突出了其温度低、时间短、压力小以及简便的工艺特点。
- 潘瑞王清孙东立
- 关键词：场致扩散连接连接工艺残余应力
- 电场作用下SiC与Ti扩散连接界面结构及力学性能被引量：3
- 2016年
- 对电场作用下Si C与Ti扩散连接接头界面结构及力学性能进行了分析测试。研究发现,当金属、陶瓷分别连接电场正、负极时,电场可促进界面扩散反应层厚度增加,而电压极性相反时,促进作用明显减弱;连接界面发生原子扩散及化学反应,生成相主要为:Ti_5Si_3与Ti C,从Si C侧到Ti侧界面相结构依次为Si C/Ti C/(Ti_5Si_3+Ti C)/Ti;性能测试结果表明,1000℃/2 h/7.5 MPa下获得的接头剪切强度为66.4 MPa,950℃/1.5 h/7.5 MPa/400 V电场作用下扩散连接接头剪切强度为69.6 MPa,即在其他连接工艺参数相同情况下,施加电压可以增大剪切强度,提高连接效率。
- 王清李其海孙东立韩秀丽田倩
- 关键词：SICTI电场力学性能
