国家高技术研究发展计划(2006AA03Z411)
- 作品数：1 被引量：0H指数：0
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- Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料制备和特性研究
- 利用金属有机物化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长了Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料。原子力显微镜研究表明,少量的Mn在样品表面起到活性作用。X射线衍射和喇曼散射研究表明,当Mn的掺杂浓度很低(<2.7%)时并没有观察到第二相...
- 谢自力张荣崔旭高陶志阔修向前刘斌李弋傅德颐张曾宋黎红崔影超韩平施毅郑有炓
- 关键词：金属有机物化学气相沉积稀磁半导体锰掺杂X射线衍射
- 文献传递
- MOCVD生长Mn掺杂GaN薄膜的结构与磁学性能研究
- 用MOCVD技术在[0001]取向的蓝宝石衬底上生长出Mn掺杂的GaN薄膜。测试结果表明,Mn掺杂浓度小于2.7%时没有第二相物质出现。Raman谱结果表明,由于Mn离子的介入,替换了Ga位的阳离子,从而使得A1（LO）...
- 崔旭高张荣陶志阔李鑫修向前谢自力郑有炓
- 关键词：金属有机化学气相淀积
- 文献传递
- 采用高分辨XRD对m面GaN位错特性的研究
- 利用高分辨X射线衍射方法,分析了在LiAlO2（100）面上采用金属有机化学气相沉积生长的m面GaN薄膜的微观结构和位错。采用对称面扫描和非对称面扫描等方法研究了晶面倾转角、面内扭转角、横向和垂直关联长度等,由此得到螺位...
- 宋黎红谢自力张荣刘斌李弋傅德颐张曾崔影超修向前韩平施毅郑有炓
- 关键词：GAN位错X射线衍射
- 文献传递
- MOCVD外延生长a面GaN薄膜及其面内各向异性研究
- 使用MOCVD直接外延r面蓝宝石衬底得到非极性a面GaN薄膜。高分辨X射线衍射发现薄膜晶体结构的面内各向异性,利用倒易空间法获得[0001]和[100]方向横向关联长度分别为41.9、14.8 nm,解释了面内各向异性的...
- 李弋谢自力刘斌傅德颐张荣郑有炓
- 关键词：非极性金属有机物化学气相沉积
- 文献传递
- a面GaN阴极荧光激发强度特性的研究
- 对MOCVD生长的r-Al2O3上的a面GaN薄膜采取了两种方式的室温阴极荧光的测试,即固定电子束加速电压改变电子束流和固定电子束流改变加速电压。结果显示,非极性a面GaN的带边和黄带的CL强度均与电子束流呈亚线性关系,...
- 崔影超谢自力赵红李弋刘斌宋黎红张荣郑有炓
- 文献传递
- 氢化物气相外延生长的GaN厚膜中位错密度计算
- 采用两种不同的方法分别确定了在c面蓝宝石上用氢化物气相外延(HVPE)法生长的六方相的GaN厚膜中的位错密度。首先,利用选择性化学腐蚀方法研究了GaN膜中的晶体缺陷,研究区分了位错的不同类型,发现在HVPE GaN贯通位...
- 刘战辉修向前张荣谢自力颜怀跃施毅顾书林韩平郑有炓
- 关键词：位错氮化镓氢化物气相外延X射线衍射
- 文献传递
- MOCVD生长Mn掺杂GaN薄膜的结构与磁学性能研究
- 2008年
- 用MOCVD技术在[0001]取向的蓝宝石衬底上生长出Mn掺杂的GaN薄膜。测试结果表明,Mn掺杂浓度小于2.7%时没有第二相物质出现。Raman谱结果表明,由于Mn离子的介入,替换了Ga位的阳离子,从而使得A1(LO)模的振动峰向低频方向移动。ESR结果表明,二价的Mn离子替换了三价的Ga离子,尽管如此,薄膜还是仅仅表现出顺磁性。通过Brillouin函数拟合以及ESR结果综合考虑可得,Mn在GaN晶格中的存在状态是孤立的二价顺磁性离子。
- 崔旭高张荣陶志阔李鑫修向前谢自力郑有炓
- 关键词：金属有机化学气相淀积
