模拟集成电路国家重点实验室开放基金(9140C090403070C09)
- 作品数：2 被引量：30H指数：2
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- 相关机构：中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院研究生院更多>>
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- 不同发射极面积npn晶体管高低剂量率辐射损伤特性被引量：21
- 2009年
- 影响npn晶体管辐射损伤的因素有很多,如晶体管工艺、剂量率以及辐照偏置等.主要研究了三种发射极面积的国产npn晶体管在高低剂量率下的辐射损伤特性,分析了发射极尺寸对辐射损伤的影响.研究结果表明,国产npn晶体管具有低剂量率损伤增强效应,且发现当小电流注入下晶体管的辐射损伤会表现得愈加显著.比较三种发射极尺寸的晶体管辐照响应发现,发射极周长面积比P/A越大时晶体管归一化过剩基极电流ΔIB/IB0也越大.详细阐述了npn晶体管辐射损伤机制,从发射极尺寸和晶体管工作电压角度对npn晶体管的加固保证方法进行了探索.
- 郑玉展陆妩任迪远王义元郭旗余学锋何承发
- 关键词：剂量率
- 工艺条件对双极晶体管低剂量率辐射损伤增强效应的影响被引量：11
- 2010年
- 对具有相同制作工艺但NPN管的发射极面积不同以及LPNP管发射极掺杂浓度相异的两种不同类型的国产双极晶体管,在不同剂量率下进行辐射效应和退火特性研究。结果表明:晶体管类型不同,对高低剂量率的辐照响应也相异;不同发射极面积的NPN管的结果显示,发射极面积越小,损伤越大;不同掺杂浓度的LPNP管的结果则表明,轻掺杂的发射极比重掺杂的具有更高的辐射敏感性。对各种实验现象的损伤机理进行了较详细的分析。
- 陆妩郑玉展任迪远郭旗余学峰
- 关键词：双极晶体管剂量率效应
