国家高技术研究发展计划(2006AA03Z418)
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 相关作者：彭艳军王志功宋家友更多>>
- 相关机构：东南大学郑州大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种偏置电流可调节的高效率2.4GHz锗硅功率放大器被引量：2
- 2009年
- 基于IBM0.35μm SiGe BiCMOS工艺BiCMOS5PAe实现了一种偏置电流可调节的高效率2.4GHz锗硅功率放大器。该功率放大器采用两级单端结构和一种新型偏置电路,除射频扼流电感外,其它元件均片内集成。采用的新型偏置电路用于调节功率放大器的静态偏置电流,使功率放大器工作在高功率模式状态或低功率模式状态。在3.5V电源条件下,功率放大器在低功率模式下工作时,与工作在高功率模式下相比,其功率附加效率在输出0dBm时提高了56.7%,在输出20dBm时提高了19.2%。芯片的尺寸为1.32mm×1.37mm。
- 彭艳军王志功宋家友
- 关键词：功率放大器锗硅偏置电路异质结双极型晶体管
- 3.318Gb/s 0.35μm SiGe BiCMOS激光驱动器
- 采用Jazz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺设计了一种激光驱动器。为了获得良好的性能,该驱动器采用差分放大器和源极跟随器分别进行信号放大和级间匹配,在输出端采用互耦合密勒电容消除结构改善了输出信号的眼图。电路的...
- 万川川李智群解锋王志功
- 关键词：光纤通信激光驱动器
- 文献传递
- 基于IBM SiGe BiCMOS工艺5PAe的中功率放大器
- 2009年
- 采用IBM公司刚刚推出试用的0.35μm SiGe BiCMOS开发性工艺5PAe设计并实现了一个C波段功率放大器。该放大器采用两级单端结构,除集电极扼流电感外,其余元件全部片上实现,具有集成度高、结构简单的特点。通过在管子基极和匹配电感中串联电阻实现了全频段稳定。键合测试表明,在所有电源电压下电路均能稳定工作。在VC=3.5V,VB=7V,f=4.1GHz时,小信号增益为17.7dB,输入输出反射系数分别为-16.9dB和-13.9dB,而在输出功率为22.8dBm时,二次和三次谐波分别小于-36dBc和-45dBc。
- 宋家友王志功彭艳军
- 关键词：功率放大器锗硅异质结双极型晶体管
