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广东省科技计划工业攻关项目(2008B010200004)

作品数：1 被引量：2H指数：1
相关作者：陈献文章勇何苗范广涵朱学绘更多>>
相关机构：华南师范大学更多>>
发文基金：广东省科技计划工业攻关项目广东省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信冶金工程更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇冶金工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇掩膜
  • 1篇刻蚀
  • 1篇光效
  • 1篇光效率
  • 1篇二极管
  • 1篇发光
  • 1篇发光二极管
  • 1篇发光二极管(...
  • 1篇GAN基LE...
  • 1篇ICP刻蚀
  • 1篇出光
  • 1篇出光效率

机构

  • 1篇华南师范大学

作者

  • 1篇何安和
  • 1篇朱学绘
  • 1篇范广涵
  • 1篇何苗
  • 1篇章勇
  • 1篇陈献文

传媒

  • 1篇光电子．激光

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Ni纳米粒子掩膜用于提高GaN基LED出光率的研究被引量：2
2010年
以无水乙醇为溶剂、柠檬酸为分散剂,用超声分散技术配制Ni纳米粒子分散液;将分散液用旋涂的方法在GaN基发光二极管(LED)的ITO电流扩展层上制备单层Ni纳米粒子掩膜,采用ICP(inductively coupledplasma)干法刻蚀技术在ITO层上制作出表面粗化的结构。在20 mA工作电流下,与普通GaN基LED相比,这种ITO表面粗化的GaN基LED芯片发光强度提高了30%,并且对器件的电性能影响很小。结果表明,该表面粗化技术是一种工艺简单、成本低和能有效提高LED发光效率的方法。
何安和何苗朱学绘陈献文范广涵章勇
关键词：发光二极管(LED)ICP刻蚀出光效率
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