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退火时间对PbS薄膜结构和光学特性的影响被引量：1: 2014年; 利用化学浴沉积法在玻璃衬底上50℃沉积3h制备硫化铅（PbS）纳米晶薄膜.将得到的PbS薄膜在300℃氮气中进行不同时间（0～120min）的退火.利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）和紫外-可见-近红外分光光度计对PbS薄膜的结构和光学特性进行研究.PbS薄膜在玻璃基底上粘附力较强,结晶度良好,呈面心立方结构且沿（111）方向择优生长.不同的退火时间导致PbS薄膜的结构、形貌、光学特性均产生明显差异.退火30 min的PbS薄膜的结晶度最好,其带隙变化范围为0.90～1.70 eV.; 武怡高斐刘生忠马笑轩王浩石宋飞莺陈彦伟; 关键词：光学特性

用太阳光发电的一个新观点: 2010年; 当太阳光由玻璃堆变为线偏振光,再通过厚度渐变的1/4波晶片将不同波长太阳光转变为圆偏振光后,在金属细线管中传播时,传播方向的高速旋转磁场绕着被金属细线切割,金属细线中电子因洛伦茨力的作用定向运动,金属线两端产生电势,因此,实现太阳光发电的关键技术是利用纳米技术制作纳米尺寸的金属细线及金属细线管。; 高斐; 关键词：电势

nc-Si∶(Al_2O_3＋SiO_2)复合膜的制备及其热电特性: 2010年; 采用真空热蒸发技术在石英玻璃衬底上蒸镀约400 nm的铝膜,并在空气中580℃的条件下退火1 h。在退火过程中Al与石英中的SiO2反应形成纳米硅nc-Si∶（Al2O3＋SiO2）复合膜。利用X射线衍射（XRD）、拉曼散射（Raman）及扫描电镜（SEM）等方法研究了薄膜的结构特性。测得膜厚约为760 nm,估算出薄膜中纳米硅（nc-Si）的平均尺寸约为25 nm。实验发现该nc-Si∶（Al2O3＋SiO2）复合膜有热电特性,研究了其电阻率及Seebeck系数随温度（293-413 K）的变化关系,在293 K和413 K该薄膜的Seebeck系数分别约为-624μV/K和-225μV/K。; 郝培风高斐苗锟刘立慧孙杰权乃承刘晓静张君善; 关键词：热电薄膜热蒸发 SEEBECK系数

多层Ge纳米晶镶嵌Si基薄膜制备与光学特性: 2012年; 采用超晶格方法,利用射频磁控共溅射及在N2气氛中退火技术,制备了多层Ge纳米晶(Ge-ncs)镶嵌Si基复合薄膜(Ge-ncs+SiO2/GeO2).同时采用椭圆偏振光谱法,研究了Ge-ncs的光学性质,并用sp3紧束缚理论模式,解释了Ge-ncs带隙宽化现象.结果表明:用超晶格方法制备的多层Ge-ncs具有密度高、尺寸和位置分布均匀的优点,纳米晶平均尺寸为9.8nm.复合薄膜(Ge-ncs+SiO2/GeO2)具有正常色散的特性,且在1 340nm处具有较强烈的吸收特性;Ge-ncs的光学带隙为0.82eV,与块体Ge材料相比,Ge-ncs吸收谱显示出0.16eV的带隙宽化.这种现象主要是由Ge-ncs中的量子限制效应导致的,采用sp3紧束缚理论模式可得到很好解释.; 刘晓静高斐赵卓斋孙文超张君善宋美周李宁; 关键词：磁控溅射光学特性量子限域效应

银纳米颗粒的制备及其对硅太阳电池性能的影响: 2014年; 通过银镜反应和退火在玻璃衬底和硅太阳电池上制备了不同尺寸的银纳米颗粒。使用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见-近红外分光光度计研究了银纳米颗粒的结构、形貌和光学特性。在AM1.5光照条件下具有银纳米颗粒的晶体硅太阳电池短路电流密度从28.4mA/cm2增加到32.6mA/cm2,电池效率从12.9%增加到14.4%。; 艾比布拉.阿布都拉高斐刘庭卓张英刘生忠; 关键词：银纳米颗粒银镜反应退火硅太阳电池

非均匀的纳米晶硅(nc-Si)薄膜的横向热伏效应: 2010年; 采用磁控溅射技术在石英衬底上沉积1层200nm厚的非晶硅(a-Si)薄膜,并用真空热蒸发在其上沉积两个横向接触的厚度不同(分别为50和100nm)的Al膜。将已沉积好的薄膜在N2气氛中600℃下退火45min,得到两个横向接触的具有不同晶化程度的纳米晶硅(nc-Si)薄膜。利用X射线衍射(XRD)、Raman光谱、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)研究了所制备样品的结构特性。由较厚Al膜诱导的nc-Si薄膜的Si晶粒平均尺寸为25nm,晶化率为56%;由较薄Al膜诱导的nc-Si薄膜的Si晶粒平均尺寸为15nm,晶化率为23%。实验发现在没有温度梯度的情况下,这两个不同晶化程度的nc-Si薄膜之间具有横向热伏效应。温度为273K时,其开路电压为1.2mV,短路电流为40nA;当温度达到373K时,其开路电压达到25mV,短路电流达到1.171μA。; 刘立慧高斐郝培风刘晓静张君善权乃承孙杰; 关键词：开路电压短路电流

CuO薄膜的制备及其光伏特性被引量：3: 2012年; 通过反应磁控溅射在n型硅和玻璃衬底上制备了p型CuO薄膜.使用X射线衍射仪和紫外-可见光-近红外光度计研究了p型CuO薄膜的结构和光学特性,得出其平均晶粒尺寸和光学带隙分别为8nm和1.36eV.通过研究其电压-电流关系确定了在p型CuO薄膜和n型硅衬底之间形成了p-n结.在AM 1.5光照条件下p-CuO/n-Si电池的开路电压为0.33V,短路电流密度为6.27mA/cm2,填充因数和能量转化效率分别为0.2和0.41%.; 张君善郭林肖高斐刘晓静宋美周李宁; 关键词：磁控溅射 P-N结光伏特性

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