公共文化服务平台

CdTe多晶薄膜沉积制备及其性能被引量：3: 2005年; 在氩气和氧气混合气氛下,近空间升华法制备了CdTe多晶薄膜。薄膜的结构、性质决定于整个沉积过程。深入研究沉积过程中的热交换、物质输运,有助于获得结构致密具有良好光电性质的CdTe薄膜。分析了近空间沉积的物理机制,测量了近空间沉积装置内的温度分布,讨论了升温过程、气压与薄膜的初期成核的关系。结果表明,不同气压下制备的样品,均有立方相CdTe。此外,还有CdS和SnO2∶F衍射峰。CdTe晶粒随气压增加有减小趋势;随气压的增加,透过率呈下降趋势,相应的CdTe吸收边向短波方向移动。采用衬底温度500℃,源温度620℃,在120℃的温差下,沉积时间4 min上制备CdTe多晶薄膜,获得转换效率优良的结构为SnO2∶F/CdS/CdTe/Au的集成电池。; 郑华靖郑家贵冯良桓谢二庆; 关键词：薄膜光学 CDTE太阳电池工作气压多晶薄膜

碲化锌的电导率温度关系及其在碲化镉太阳电池组件中的应用: 2006年; 用ZnTe/ZnTe∶Cu复合层作为背接触层,能很好的解决CdTe太阳电池的欧姆接触问题。以前的研究表明,ZnTe∶Cu因掺铜浓度的不同,显示出不同的电导率温度关系。本文仔细观察了各种掺杂浓度ZnTe∶Cu的电导率温度关系,并由此来选定掺铜浓度。实验还表明,对一个确定掺铜浓度的ZnTe/ZnTe∶Cu复合层,其退火温度对CdTe太阳电池的性能影响很大。为此,本文发展了通过测试ZnTe/ZnTe∶Cu复合层的电导温度关系,来确定退火温度的方法。目前,用ZnTe/ZnTe∶Cu复合层作背接触材料,获得了转换效率为7.03%的中面积碲化镉薄膜电池集成组件。; 陈茜冯良桓郝瑞英张静全武莉莉蔡亚萍李卫宋慧瑾; 关键词：太阳电池

碲化锌插入层对CdS/CdTe光伏器件性能的影响: 从理论上分析了CdS/CdTe/Au器件的Roll over和Cross over现象。通过对比有无插入层的CdTe太阳电池在C-V特性,I-V特性,光谱响应的不同,肯定了插入层对改善背接触特性的作用;发现它还可以改善器...; 李杨华蔡伟冯良桓郑家贵鄢强武莉莉张静全蔡亚平李卫黎兵夏庚培岳磊覃文治; 关键词：背接触碲化镉太阳电池填充因子

近空间升华法氧气氛下CdTe源的性能被引量：2: 2008年; 在用近空间升华法制备CdTe多晶薄膜时,由于CdTe源在有O2的环境下多次使用,造成了源表面氧化,进而失效,严重影响所沉积的CdTe多晶薄膜性能.文中研究了多次使用后CdTe源结构形貌、成分等性能.结果表明:多次使用后的CdTe源表面有变黄的趋势,源表面有CdO粉末的存在,经H2在一定条件的高温还原,可以去除表面的氧化物,为源的重复使用奠定基础.; 曾广根黎兵郑家贵李愿杰张静全李卫雷智武莉莉蔡亚平冯良桓; 关键词：CDTE CDO

气相CdCl_2退火对CdTe多晶薄膜性能的影响被引量：2: 2008年; 利用近空间升华法在Ar+O2气氛下沉积了CdTe多晶薄膜,并在气相CdCl2氛围下进行了不同温度的退火,对样品进行了厚度、XRD、SEM、透过谱,σ-T等性能测试,结果表明:退火后CdTe多晶薄膜在(111)面上仍具有择优取向,退火能使晶界钝化,增加再结晶并促进晶粒长大;但对薄膜的透过率没有影响,退火后,暗电导(σdark)增加,电导激活能(Ea)减少。得到了最优化的退火条件。; 曾广根黎兵郑家贵冯良桓蔡伟; 关键词：退火太阳电池

激光刻划制备集成碲化镉薄膜太阳电池的研究: 2005年; 激光刻划是实现薄膜太阳电池集成的廉价、高效手段.使用调Q脉冲Nd∶YAG激光刻划碲化镉多晶薄膜,研究了泵浦灯电流、脉冲重复频率、刻划速率与刻痕形貌的关系,优化了刻划的工艺参数,在此基础上制备出转换效率为5.42%的碲化镉薄膜集成电池.; 岳磊蔡伟张静全冯良桓蔡亚平郑家贵覃文治李杨华; 关键词：CDTE

化学池沉积法制备CdS多晶薄膜及其性质被引量：7: 2004年; 采用化学池沉积(CBD)法,在3种不同衬底(玻片、ITO玻片、SnO2玻片)上沉积制备CdS多晶薄膜,并利用扫描电镜(SEM)、透射光谱、X射线衍射(XRD)和微电流高阻计等方法对沉积膜进行了测试分析,算出了CdS多晶薄膜的能隙宽度E0和电导激活能Ea,研究了CBD法中CdS多晶薄膜的生长沉积机制以及不同衬底对沉积效果的影响。结果表明:不同衬底的成膜效果差异较大,其中以SnO2玻片为衬底的沉积效果最佳。; 黎兵蔡伟冯良桓蔡亚平李卫郑家贵张静全武莉莉; 关键词：太阳电池

激光刻划碲化镉薄膜研究: 研究声光调Q的Nd:YAG激光对碲化镉薄膜的刻划过程,得出了刻槽形貌随脉冲重复频率、灯电流大小和刻划速率变化的规律。; 岳磊蔡伟张静全蔡亚平郑家贵冯良桓覃文治李杨华; 关键词：碲化镉

碲化锌插入层对碲化镉太阳电池性能参数影响的分析被引量：7: 2004年; 分析了有 Zn Te/ Zn Te∶ Cu插入层的 Cd Te太阳电池在能带结构上的变化 .通过对比有无插入层的 Cd Te太阳电池在 C- V特性、I- V特性、光谱响应上的不同 ,肯定了插入层对改善背接触特性的作用 ,发现它还可以改善器件前结 Cd S/ Cd Te的二极管特性和短波光谱响应 .实验结果还表明 ,不掺杂的 Zn Te对提高器件的效率是必要的 .恰当的不掺杂层厚度和退火温度能有效地改进 Cd Te太阳电池的性能。; 鄢强冯良桓武莉莉张静全郑家贵蔡伟蔡亚平李卫黎兵宋慧瑾夏庚培; 关键词：背接触碲化镉太阳电池填充因子

CdTe太阳电池前电极SnO_2:F/SnO_2复合薄膜性能分析: 2010年; 减薄CdS窗口层是提高CdS/CdTe太阳电池转换效率的有效途径之一,减薄窗口层会对器件造成不利的影响,因此在减薄了的窗口层与前电极之间引入过渡层非常必要.利用反应磁控溅射法在前电极SnO2:F薄膜衬底上制备未掺杂的SnO2薄膜形成过渡层,并将其在N2/O2=4:1,550℃环境进行了30min热处理,利用原子力显微镜、X射线衍射仪、紫外分光光度计对复合薄膜热处理前后的形貌、结构、光学性能进行了表征,同时分析了复合薄膜的电学特性.结果表明,未掺杂的SnO2薄膜没有出现异相的谱线,并且(110)择优取向,与衬底具有相同的结构,复合薄膜界面无晶格失配;退火后,复合膜更加均匀致密,表面更加规则,平整,光洁;薄膜电阻增大,满足阻挡层的要求,具有良好的电学均匀性和大于80%的透过率.最终制备出适合用作CdS/CdTe太阳电池前电极的SnO2:F/SnO2复合薄膜。; 曾广根黎兵郑家贵武莉莉张静全雷智李卫冯良桓; 关键词：透明导电薄膜 CDTE太阳电池

渝B2-20050021-1　渝公网安备 50019002500403号　违法和不良信息举报中心　互联网出版许可证　新出网证(渝)字10号

国家高技术研究发展计划(2001AA513010)