中国工程物理研究院科学技术发展基金(2008B0402037)
- 作品数：3 被引量：23H指数：2
- 相关作者：刘金锋李洪涛袁建强刘宏伟江伟华更多>>
- 相关机构：中国工程物理研究院清华大学更多>>
- 发文基金：中国工程物理研究院科学技术发展基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程更多>>
- 基于IGBT开关的重复频率直线变压器被引量：1
- 2011年
- 采用3 300V/1 200AIGBT开关及直线变压器的电路结构,实现了单模块时在0.57Ω负载上4.3kA的脉冲电流输出和模块串联时在2.2Ω负载上4.6kV的电压输出,猝发式重复频率达到200Hz。整个系统包括4个3 300V/1 200A的IGBT开关器件及相应的驱动模块、缓冲模块、储能电容和磁芯等。实验结果表明:采用线性变压器的电路拓扑结构能够拓展固态IGBT开关的输出能力;直线变压器的电路结构结合固态IGBT开关能够很好地实现重复频率工作。在实验基础上分析了磁芯饱和及复位问题,并提出了一种有效的不采用复位而解决磁芯饱和的方法。
- 刘宏伟李洪涛王传伟赵越刘金锋袁建强周良骥
- 关键词：IGBT重复频率磁芯
- 50kV半绝缘GaAs光导开关被引量：20
- 2009年
- 设计了横向结构的半绝缘GaAs光导开关,开关由600μm厚的半绝缘GaAs晶片制成,电极间隙为20 mm。在不同的直流偏置电压下,使用波长为1064 nm、能量为9.9 mJ的激光脉冲触发使开关导通,开关置于0.2 MPa的SF6气体环境中。在施加直流50 kV电压的情况下,使用Rogowski线圈测得开关的最大导通电流为1.1 kA。对实验结果进行分析表明:随着初始偏置电压的升高,回路流过的电荷与电容初始储存的电荷的比值不断提高,但都没有达到100%,即非线性模式下光导开关的关断原因并不是由于外电路的能量已经耗尽。对非本征光电导的情况,计算出开关的通态电阻为2.71Ω。
- 袁建强刘宏伟刘金锋李洪涛谢卫平王新新江伟华
- 关键词：砷化镓光导开关大功率
- 外电路参数对GaAs光导开关导通过程的影响被引量：2
- 2010年
- 通过研究不同外电路参数条件下半绝缘GaAs光导开关的输出电流波形的差异,分析了外电路电参数对GaAs光导开关导通过程和工作模式的影响。实验开关由600μm厚的半绝缘GaAs晶片制成,电极间隙为12 mm。使用波长为1 064 nm,5.2 mJ的激光脉冲进行了开关的触发实验。使用皮尔森电流探头测量开关放电电流波形。实验发现储能电容、回路电感等外电路参数对开关放电电流波形存在决定性影响,回路电感影响了导通电流的上升前沿,储能电容对于开关非线性模式的维持起决定作用,储能电容较大时才能够提供非线性模式维持所需的偏置电场。
- 刘宏伟袁建强刘金锋李洪涛谢卫平江伟华
- 关键词：砷化镓光导开关闭合时间
