国家教育部博士点基金(20090101120165)
- 作品数：1 被引量：4H指数：1
- 相关作者：阙端麟李晓强余学功汪雷杨德仁更多>>
- 相关机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 硅中缺陷对Cu杂质的吸杂被引量：4
- 2010年
- 本文采用快速热处理的方式引入Cu杂质,利用择优腐蚀以及光学显微镜研究了p型硅和n型硅中多种类型缺陷对Cu杂质沉淀行为的影响。研究发现,在p型硅中,当Cu杂质的浓度比较低时,硅体内的Cu杂质主要聚集和沉淀在位错或者晶界上,而当Cu杂质浓度较高时,Cu杂质可以在硅片内部无缺陷处形核沉淀,然而,晶界对Cu杂质的吸杂仍然表现比较明显,在晶界附近存在一个Cu沉淀很少的"洁净区"。在n型硅中,缺陷对Cu杂质的吸杂不明显。Cu杂质可以在缺陷处以及无缺陷处沉淀。但氧沉淀在n型硅中对Cu杂质的吸杂非常明显,并且氧沉淀还会阻碍Cu杂质在硅中的扩散。
- 李晓强杨德仁余学功汪雷阙端麟
- 关键词：硅吸杂
