国家自然科学基金(10947161)
- 作品数：5 被引量：6H指数：2
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- 硼氮共掺杂碳管门压输运特性第一性原理研究被引量：2
- 2011年
- 利用结合第一性原理的密度泛函理论的非平衡格林函数数值方法,计算了硼氮共掺杂(5,5)单壁碳纳米管的电子透射特征和电流电压曲线。结果表明,硼氮共掺杂使得金属型(5,5)单壁碳管转变为半导体性,硼氮共掺杂使得体系透射峰值随偏压发生非线性变换。门电压较小时对体系的输运特性的调制才属于线性关系。
- 韦建卫曾晖蒲利春刘群英
- 关键词：输运特性调制
- 含氮复合缺陷改性单壁碳纳米管的电学性能
- 2010年
- 基于第一性原理的密度泛函理论,利用非平衡格林函数方法本文研究了氮原子与SW(Stone-Wales)缺陷组成的复合缺陷对碳纳米管几何结构及电子透射系数的影响。结果显示SW缺陷和掺杂都对单壁管的几何结构和电子性能有显著的影响。对于半导体性(8,0)碳纳米管,复合缺陷增强了体系的输运性能,但是输运特性明显受到杂质原子的位置的影响。
- 韦建卫
- 关键词：单壁碳纳米管氮掺杂输运特性
- 硼氮共掺杂碳纳米管水分子内表面吸附电子特性研究
- 2010年
- 基于第一性原理的密度泛函理论,通过迭代求解密度泛函理论近似的薛定谔方程,计算硼氮共掺杂碳纳米管体系的总能,得到了体系的几何结构和电子结构,并研究了硼氮共掺杂碳纳米管的水分子内表面吸附3种位型的吸附特性。结果表明,不论水分子初始位置如何,都将吸附在一个特定的位型上。此外,水分子吸附在体系的能隙中引入一个强局域性的吸附杂质带,导致体系的范霍夫奇异峰值发生变化,这对体系的输运和光学性能产生不可忽视的影响。
- 韦建卫曾晖田永红陶必松于永兵蔡安康陈亚强
- 关键词：碳纳米管电子结构
- 双空位缺陷对金属性碳纳米管量子电子学特性的影响研究
- 2010年
- 采用第一性原理的密度泛函理论计算方法,研究了2种不同分布的双原子空位缺陷(平行于管轴和斜交于管轴)对金属型(12,0)碳纳米管量子电子特性的影响。研究结果表明,平行于管轴的五边形-八边形-五边形(5-8-5)缺陷的转变能是最小的,是最稳定的缺陷结构分布;平行于管轴的5-8-5缺陷和斜交于管轴5-8-5缺陷都在价带部分引入了出现2个电子背散射中心,这对电子输运非常不利;斜交于管轴5-8-5缺陷比平行于管轴5-8-5缺陷对电导的抑制作用更大,这是由于斜交于管轴5-8-5缺陷破环了碳纳米管的轴向对称性。
- 曾晖韦建卫
- 关键词：空位缺陷碳纳米管电学特性
- 硼氮共掺杂单壁碳纳米管电子特性研究被引量：4
- 2011年
- 基于第一性原理的密度泛函理论、结合非平衡格林函数方法,计算了硼氮共掺杂情况下单壁碳纳米管的电子结构和输运特性。结果表明:单壁碳纳米管中进行硼氮共掺杂时,硼氮原子更趋向于形成沿管轴方向的硼氮原子对。针对硼氮共掺杂电子效应,从电子结构、态密度、透射系数、电流-电压曲线等方面进行了系统地探讨。硼氮原子对共掺杂显著提升了半导体性单壁管(10,0)的输运特性。而对于金属型(5,5)管的掺杂使得其在小偏压区间内表现出明显的半导体特性。
- 韦建卫蒲利春胡南胡慧芳曾晖梁君武
- 关键词：单壁碳纳米管电子结构
