天津市科技支撑计划(10ZCKFGX01200)
- 作品数：3 被引量：4H指数：2
- 相关作者：杨保和李翠平苏林王进张明伟更多>>
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- 金刚石基底上制备(002)AlN薄膜的研究被引量：2
- 2012年
- 首先采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法,在O2/H2/CH4混合气体气氛下利用大功率微波在(100)Si片上生长出了异质外延金刚石膜,X-射线衍射(XRD)、拉曼光谱和场发射扫描电子显微镜(FESEM)对薄膜的表征分析结果表明,制备的金刚石膜具有很高的金刚石相纯度,且晶粒排列紧密;继而采用射频磁控反应溅射法,在抛光的金刚石基底上成功制备了高C轴择优取向的氮化铝(AlN)薄膜,研究了不同的溅射气压、靶基距对AlN薄膜制备的影响,XRD检测结果表明,溅射气压低,靶基距短,有利于AlN(002)面择优取向,相反则更有利于AlN薄膜的(103)面和(102)面择优取向;研究了AlN薄膜在以N终止的金刚石基底和纯净金刚石基底两种表面状态上的生长机制,结果发现,以N终止的金刚石基底非常有利于AlN(002)面择优取向生长;从Al-N化学键的形成以及溅射粒子平均自由程的角度,探讨了其对AlN薄膜择优取向的影响。
- 古少杰杨保和张明伟崔健李翠平
- 关键词：金刚石化学键平均自由程
- 多层膜结构声表面波器件研究
- 声表面波（SAW）器件由于其尺寸小、性能优越、一致性好、可靠性高而成为现代移动通信系统中不可或缺的射频信号处理器件。 本文针对目前传统压电单晶基片材料SAW滤波器所面临的可应用频段低和温度稳定性差的问题，对压电薄膜/金...
- 钱莉荣
- 关键词：声表面波器件刚度矩阵纳米金刚石
- 文献传递
- 靶基距对反应溅射AlN薄膜微结构和性能的影响被引量：2
- 2012年
- 采用射频(RF)磁控反应溅射法在Si基底上制备了氮化铝(AlN)薄膜,利用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和纳米力学测试系统研究靶基距对AlN薄膜取向性、微结构、形貌和力学性能的影响。结果表明,靶基距较大时,形成的AlN薄膜为非晶态,薄膜表面较疏松;随着靶基距的减少,AlN薄膜变为多晶态,且具有(100)择优取向;随着靶基距的进一步减少,薄膜结晶质量变好,晶粒变大,薄膜变得更致密,择优取向也由(100)逐渐向(002)转变;靶基距较小时,AlN压电薄膜与基底结合得更牢固,而压电薄膜与基底结合的紧密程度对多层膜声表面波(SAW)器件性能优劣的影响至关重要。
- 王进李翠平杨保和张庚宇尹涛涛苏林
- 适用于FBAR的ZnO薄膜制备及压电特性分析
- 2013年
- 采用射频磁控溅射法在Al电极层上制备了适用于薄膜体声波谐振器(FBAR)的ZnO薄膜,研究了溅射功率对ZnO薄膜择优取向、压电响应和极化分布的影响。X射线衍射(XRD)测试结果表明,在一定范围内,随着溅射功率的增大,ZnO薄膜的择优取向和结晶质量得到提高;但溅射功率过大,ZnO薄膜的择优取向变差。压电响应力显微镜(PFM)测量表明,溅射功率对薄膜的压电性能和极化取向也有很大影响,在所制备的薄膜中,多数晶粒的自发极化方向均垂直向上,表明所制备ZnO薄膜的表面主要为O截止;压电响应的振幅与薄膜的结晶质量和择优取向相关,在溅射功率为150W条件下制备的ZnO在垂直于表面方向上表现出最大压电响应振幅,同时薄膜极化取向分布的一致性最好。
- 苏林杨保和王芳李翠萍朱宇清
- 关键词：ZNO薄膜溅射功率
