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国家自然科学基金(90403011)

作品数:2 被引量:2H指数:1
相关作者:龚艳春戴斌飞陈蓉武文远杨军更多>>
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相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 1篇电阻
  • 1篇势垒
  • 1篇隧穿
  • 1篇隧穿磁电阻
  • 1篇隧道结
  • 1篇EXCHAN...
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  • 1篇磁电
  • 1篇磁电阻
  • 1篇磁结构
  • 1篇磁性隧道结
  • 1篇HETERO...
  • 1篇ASYMME...
  • 1篇MOTT-I...

机构

  • 1篇解放军理工大...

作者

  • 1篇杨军
  • 1篇武文远
  • 1篇陈蓉
  • 1篇戴斌飞
  • 1篇龚艳春

传媒

  • 1篇解放军理工大...
  • 1篇Chines...

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
磁性隧道结中自旋相关输运的势垒影响被引量:2
2009年
为了研究势垒对铁磁/绝缘层/半导体/绝缘层/铁磁(FM/I/SM/I/FM)双隧道结中自旋相关电子输运特性的影响,提出了在半导体层厚度合适的情况下,非对称势垒对于提高平行结构磁性双隧道结的自旋注入效率SIE(spin injection efficiency)更具优势。数值计算结果表明,当两势垒强度的比率达到合适数值时双结的SIE和隧穿磁电阻TMR(tunneling magnetore resistance)都将达到最大,这给提高从铁磁到半导体的SIE带来新选择。研究还表明,非对称势垒结构磁性隧道结中增大铁磁交换能对提高SIE和TMR都是有益的,而且铁磁交换能的增加对SIE的提高要比对TMR的提高更显著。
杨军武文远龚艳春戴斌飞陈蓉
关键词:隧穿磁电阻
Interface dipole induced by asymmetric exchange effect in Mott-insulator/Mott-insulator heterojunction
2008年
We study theoretically the interfacial electronic property of a heterojunction made from two Mott insulators (MI) with different magnetic structures. By means of unrestricted Hartree-Fock calculations in real space, we find that a charge dipole can form spontaneously near the interface of the MI/MI heterojunction. The magnitude of this charge dipole depends strongly on the magnetic states of both sides of the heterojunction. Combining with the result from an exactly solvable two-site toy model, we argue that the interface dipole arises from exchange effects as well as its asymmetry intrinsic to the heterojunction near the interface. Our study may shed light on the fabrication of ultrathin ferroelectric and magnetoelectric devices.
郝雷汪军
关键词:磁结构
共1页<1>
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