公共文化服务平台

天线罩内廓曲面测量数据处理与重构研究被引量：3: 2005年; 天线罩是保护天线在恶劣环境条件下正常工作的一种设施,属硬脆材料大型复杂曲面工件.对天线罩内廓形进行精密修磨,可改善其工作性能.其加工属于自由曲面加工.为实现精密修磨,通过测量数据重构出了天线罩的内廓面.根据测得的天线罩内廓面离散数据,剔除坏点和重叠点后应用最小二乘法对测量型值点进行了光顺;通过数据的疏化处理,实现了测量型值点的双有序,完成了基于双三次B样条曲面的天线罩内廓曲面重构.在此基础上得到加工后内廓曲面,为数控加工中刀具轨迹的规划奠定了基础.该方法能够有效地消除测量产生的随机误差,所重构出的曲面具有精度高、光顺性好等特点.; 季田郭东明贾振元康仁科; 关键词：天线罩数据处理曲面重构

带罩天线远场仿真中有效等效源的确定: 2009年; 采用平面波谱-表面积分法或口径积分-表面积分法计算带罩天线远场特性时,都需要把天线罩表面作为等效辐射源,等效源的确定直接影响到算法的精度和效率。通过对天线近场分布特性的分析,提出一种通用于多种外形天线罩的确定有效等效源的实用方法:在采用三次样条函数理论,为多种流线形天线罩建立具有统一数学表达式的天线罩外形方程的基础上,建立以天线口径中心为顶点的天线辐射锥面,把包含在锥面内部的罩体表面作为有效等效源。仿真结果与试验结果相比较,表明该等效源确定方法的正确性。; 张春波郭东明盛贤君柳敏静孙玉文; 关键词：天线罩三次样条函数

天线-罩系统辐射特性的快速仿真被引量：1: 2008年; 口径积分-表面积分法是带罩天线远场电性能数值仿真的常用方法,针对该法分析电中大尺寸天线-罩系统远场电性能计算效率过低的问题,提出了基于等效源区域分解的并行口径积分-表面积分算法。开发并在集群系统中实测了基于消息传递并行编程环境(MPI)的并行程序,作为应用计算了某弹载天线-罩系统远场辐射特性。仿真结果表明该并行算法的高效性和准确性。; 张春波盛贤君柳敏静孙玉文郭东明; 关键词：数值仿真天线罩集群

分散剂对铜CMP材料去除率和表面粗糙度影响的实验研究被引量：10: 2007年; 使用5种分散剂,SiO2水溶胶为磨料、H2O2为氧化剂,分别进行抛光实验。结果表明:二乙烯三胺和吡啶2种分散剂相对较好,二乙烯三胺(质量分数0.05%)对铜的材料去除率达到570.20nm/min,表面粗糙度为Ra1.0760nm,吡啶(质量分数0.75%)的材料去除率为373.69nm/min,表面粗糙度为Ra1.5776nm;二乙烯三胺提高了抛光液的碱性并增强了对铜金属的腐蚀作用是材料去除率提高的主要原因,其多胺基的极性吸附和与胶体分子羟基的化学键作用提高了抛光液磨粒胶体表面的zeta电位,较大的分子链有效地提高了磨料粒子间的空间排斥力,故较好的纳米磨料粒子分散性使抛光表面粗糙度降低。; 李庆忠金洙吉张然康仁科郭东明; 关键词：CMP 分散剂铜去除率粗糙度

基于深腾1800机群系统的分子动力学并行仿真研究: 2007年; 介绍了分子动力学并行仿真计算的软硬件环境,分析了现有的几种并行算法,确定采用区域分解法作为并行算法,并在此基础上提出了基于区域二次划分的分子动力学并行仿真算法.另外,阐述了原子链、原子近邻表和原子亲属表的概念,提出了基于永久序号的消息传递策略.最后,设计了分子动力学并行仿真程序,并分别在1、2、3、4台结点机上进行了实验,运行结果表明:加速比随着结点数的增加而增加,并行效率虽略有下降但都在87.5%以上,并行效率并没有随着结点数的增加有明显的降低,说明并行程序具有很好的扩展性.; 郭晓光郭东明康仁科金洙吉

细粒度金刚石砂轮表面磨粒识别研究被引量：9: 2007年; 准确地评价砂轮表面形貌对磨削机理研究、磨削过程优化、磨削过程的建模与仿真等具有重要意义,而准确的磨粒识别是砂轮形貌测量和评价的关键.对超精密磨削所用细粒度金刚石砂轮磨粒粒径的分布特点和砂轮表面上磨粒的轮廓波长进行了分析.从采样间隔和取样面积的角度对金刚石砂轮表面三维形貌测量仪器的选择进行了探讨.应用数字滤波消除砂轮表面三维数字信息中的高频分量,然后提取金刚石磨粒的几何特征,提出了依据磨粒轮廓频率特征、磨粒间距和磨粒曲率半径识别金刚石磨粒的方法.采用基于扫描白光干涉原理的三维表面轮廓仪对#3000金刚石砂轮表面形貌进行了测量,对砂轮表面中包含的金刚石磨粒进行了识别,实验结果证明所提出的磨粒识别方法合理有效.; 霍凤伟金洙吉康仁科郭东明杨春; 关键词：金刚石砂轮表面形貌金刚石磨粒超精密磨削

单晶硅纳米级压痕过程分子动力学仿真被引量：5: 2008年; 对内部无缺陷的单晶硅纳米级压痕过程进行了分子动力学仿真,从原子空间角度分析了单晶硅纳米级压痕过程的瞬间原子位置、作用力和势能等变化,解释了压痕过程.研究表明:磨粒逐渐向单晶硅片的逼进和压入,使得磨粒下方的硅晶格在磨粒的作用下发生了剪切挤压变形,磨粒作用产生的能量以晶格应变能的形式贮存在单晶硅的晶格中(即硅原子间势能),因此硅原子间势能随着力的增加而不断增加,当超过一定值且不足以形成位错时,硅的原子键就会断裂,形成非晶层,堆积在金刚石磨粒的下方.当磨粒逐渐离开单晶硅片时,非晶层原子进行重构,释放部分能量,从而达到新的平衡状态.; 郭晓光郭东明康仁科金洙吉; 关键词：单晶硅

An Improved Angle Polishing Method for Measuring Subsurface Damage in Silicon Wafers被引量：2: 2006年; We present an improved angle polishing method in which the end of the cover slice near the glue layer is beveled into a thin,defect-free wedge,the straight edge of which is used as the datum for measuring the depth of subsurface damage. The bevel angle can be calculated from the interference fringes formed in the wedge. The minimum depth of the subsurface damage that can be measured by this method is a few hundred nanometers. Our results show that the method is straightforward, accurate, and convenient.; 霍凤伟康仁科郭东明赵福令金洙吉

CMP设备控制软件的模块规划及可视化技术被引量：1: 2008年; CMP(Chemical Mechanical Polishing)设备是半导体集成电路(IC)制造中的关键设备,CMP设备控制软件的开发是CMP设备研发的关键技术之一。针对三工位CMP机床,自行设计开发了具有抛光压力在线监控、真空吸盘的真空度实时监测、抛光头及抛光盘变频电机转速和转向控制以及机床动作控制等功能的设备监控系统。采用面向对象的方法,给出了监控系统软件模块的划分方法,并对控制功能模块进行了类的封装,重点介绍了多视图通讯的实现以及利用OpenGL实现软件可视化的CMP软件开发关键技术。; 姜培青王永青康仁科郭东明; 关键词：CMP 面向对象 OPENGL

RBR控制在超大规模集成电路制造的化学机械抛光工艺中的应用被引量：1: 2006年; 本论文介绍了RBR过程控制技术在超大规模集成电路(ULSI)制造中的化学机械抛光(CMP)这一关键工艺中的应用。CMP工艺中的RBR控制是利用CMP工艺后检测获得的抛光质量数据来调整下一片硅片抛光的输入工艺参数的方法实现的。由于影响CMP过程的参数比较多,并且存在一些复杂的变化过程(如抛光垫老化、更换抛光垫等),使得其RBR控制是一个多目标、多输入、多输出的控制过程。本文结合CMP工艺分析了RBR控制,并以双指数权重调整方法为例描述了用于CMP的RBR控制算法,最后介绍了RBR控制在CMP工艺应用中的最新研究结果。; 李秀娟金洙吉康仁科郭东明苏建修; 关键词：化学机械抛光过程控制

渝B2-20050021-1　渝公网安备 50019002500403号　违法和不良信息举报中心　互联网出版许可证　新出网证(渝)字10号

国家杰出青年科学基金(50325518)

文献类型

领域

主题

机构

作者

传媒

年份

用户反馈

国家杰出青年科学基金(50325518)

文献类型

领域

主题

机构

作者

传媒

年份

用户登录

用户反馈