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Y、V共掺杂CaBi_4Ti_4O_(15)陶瓷的结构及电性能研究: 2015年; 采用固相烧结法制备了Y、V共掺杂的Ca Bi4Ti4O15陶瓷（简称CYBTV）。Y、V共掺杂有利于陶瓷晶粒沿c轴方向生长,提高瓷体致密度。测量和分析了不同频率下CYBTV陶瓷的交流电导率σac和直流电导率σdc随温度（300-1150 K）的变化以及陶瓷的复阻抗谱。σac在不同温区表现出不同程度的频率和温度相关性：在低温区,σac随着频率的升高而增大;在高温区,σac随着温度的升高而增大。CBT基材料的复阻抗响应主要与晶粒电阻电容有关,Y、V共掺杂后,陶瓷的晶粒电阻率显著增大,从而导致材料电阻率的提高。; 李丹洋何新华符小艺; 关键词：电导率

Ni^(2+)掺杂氧化锌阵列膜的水热合成及性能表征被引量：3: 2014年; 采用低温水热法制备了Ni2+掺杂的ZnO阵列膜,研究了Ni2+掺杂对样品形貌、晶相结构和光谱特性的影响,并对可能的影响机理进行探讨。结果表明:Ni2+浓度增加不会改变ZnO的纤锌矿结构,但在一定程度上可以起到控制其形貌及均匀度的作用。Ni2+掺杂量x≤0.007 mol/L时,有助于ZnO纳米棒沿c轴方向生长,提高结晶度,但ZnO的生长机理保持不变。Ni2+掺杂量较多时(x>0.007 mol/L),ZnO纳米棒的生长习性发生变化,其六方结构被破坏,水热膜由垂直于基片表面排列的纳米棒阵列转变为由结构不规则的多边形晶粒组成的密堆积排列。由于Ni2+固溶入ZnO晶格产生晶格畸变,引起薄膜内应力以及载流子浓度的变化,使得ZnO拉曼光谱的特征峰出现明显的降低和移动。光致发光谱表明,Ni2+掺杂使ZnO纳米棒的紫外发光峰强度IUV与绿光发光峰强度IGR之比值IUV/IGR增大。; 徐晓雷贺旭涛符小艺何新华; 关键词：水热法

CaBi_4Ti_4O_(15)高温无铅压电陶瓷的B位高价掺杂改性研究被引量：5: 2009年; 分别以V5+、Nb5+和W6+离子对CaBi4Ti4O15陶瓷进行B位取代,比较3种掺杂离子对CaBi4Ti4O15陶瓷的烧结、介电和压电性能的影响。结果表明:3种离子的掺杂均能改善材料的烧结特性,提高瓷体致密度,同时降低高温电导率和损耗。V5+掺杂可显著改善烧结性能,少量V5+掺杂对居里温度影响不大,但可显著降低高温电导率和高温介电损耗。少量Nb5+掺杂可有效提高材料的压电性能。W6+掺杂对居里温度影响最为显著,使居里温度降低了30℃,但改性效果不如Nb5+和V5+明显。; 郑敏贵何新华陈志武; 关键词：无铅压电陶瓷居里温度介电性能电导率

化学溶液沉积法制备超疏水氧化锌薄膜被引量：3: 2009年; 采用化学溶液沉积法在涂覆ZnO缓冲层的玻璃衬底上制备超疏水ZnO薄膜。利用SEM、XRD和水接触角测量表征薄膜的微观结构和润湿性。结果表明:在涂覆ZnO的玻璃衬底上所沉积的ZnO膜为单分散的ZnO纳米棒阵列膜。ZnO纳米棒的形状和尺寸与氢氧化钠浓度、化学反应速度和沉积时间有关。氢氧化钠浓度较高时所获得的是细长浓密的纳米棒阵列膜,提高反应速度会降低ZnO纳米棒的均匀性和形状规则性。经硅烷偶联剂处理后所得薄膜与水的接触角达到165°。; 黎卓华何新华陈志武徐浚楠; 关键词：ZNO 纳米棒超疏水

电泳沉积法制备超疏水ZnO薄膜被引量：4: 2009年; 采用电泳沉积法在ITO导电玻璃基片上制备超疏水ZnO薄膜,研究了电流强度、沉积时间和缓冲层对薄膜的晶相、显微结构、透光度和润湿性的影响。利用SEM和XRD表征薄膜的表面形貌和晶相组成。结果表明:所沉积的薄膜主要由ZnO和Zn(OH)2两相组成,在空气中放置一段时间后全部转变为ZnO相,电泳沉积膜是由ZnO纳米晶片无序排列组成的网状结构。电流强度和缓冲层对薄膜的形貌影响较大,较高的电流强度可获得大孔洞的网状结构,涂覆ZnO缓冲层显著改善了薄膜的均匀性。; 何新华陈志武李茂罗磊; 关键词：ZNO 电泳沉积疏水性

Ni^(2+)掺杂ZnO薄膜的阻变特性研究被引量：1: 2015年; 以ITO导电玻璃为基片,采用sol-gel法制备Ni掺杂ZnO薄膜(NZO),并对其I-V特性、转换电压分布、保持特性和阻变机理进行分析探讨。NZO薄膜器件具有典型的双极性阻变特性,开关比Roff/Ron高达104~105,并呈现出较为良好的循环稳定性。Ni掺杂对低阻态(LRS)影响不大,但加剧了高阻态(HRS)的分散性。Ni掺杂量增加显著改善了转换电压VSET的弥散性。氧空位导电细丝的形成与断裂是产生阻变特性的重要原因,其LRS和HRS的阻变机理分别符合欧姆定律和空间电荷限制传导理论。; 贺旭涛何新华符小艺李嘉川; 关键词：氧化锌

Ca_(1-x)Y_xBi_4Ti_4O_(15)铁电材料的结构和电性能研究被引量：3: 2014年; 采用传统的固相反应法制备铋层结构铁电陶瓷材料Ca1-xYxBi4Ti4O15＋x/2（x=0~0.1）（简称CYBT）,研究了钇离子掺杂对CYBT陶瓷的烧结、晶相组成、显微形貌及电性能的影响。Y3＋的A位取代,可以改善CYBT陶瓷的烧结性能,提高体积密度和瓷体致密度。Y3＋的引入促进晶粒沿c轴方向生长,晶粒各向异性减小,室温介电常数增加。Y掺杂后离子半径差别和A空位浓度增加所产生的晶格畸变,使陶瓷的居里温度显著升高,当掺杂量x=0.10时,Tc升高了约80℃。Y掺杂显著降低了高温损耗,掺杂量x=0.075的样品表现出最好的压电性能,压电常数d33为15 pC/N。; 王斌李丹洋符小艺何新华; 关键词：晶格畸变居里温度压电性能

ZnO水热膜的形貌调控及光电性能: 2016年; 在硝酸锌/(NH_2)_6N_4(HMTA)溶液体系中加入浓氨水及氯化铜,采用水热法制备Cu掺杂的ZnO薄膜。研究发现,氨水和Cu^(2+)离子均可抑制ZnO纳米棒的横向生长,促进纳米棒沿c轴取向生长,增加长径比,但并未发现Cu进入ZnO晶格中。ZnO水热阵列膜的形貌可以通过同时掺杂Cu2+和加入浓氨水来改变。Cu^(2+)离子和氨水共掺杂容易导致ZnO纳米棒的弯曲及纳米棒端头的聚集,形成由纳米棒团簇组成的星星状薄膜表面。PL谱显示,该结构具有较大的氧空位缺陷浓度及比表面积,并具有一定的场发射特性,场增强因子β为5990。; 何新华贺旭涛符小艺; 关键词：ZNO 水热 CU掺杂; 全文增补中

溶胶-凝胶法制备CaBi_4Ti_4O_(15)基陶瓷粉体被引量：1: 2010年; 采用溶胶凝-胶法制备V掺杂的铋层复合物CaBi4Ti3.95V0.05O15.025(CBTVO)陶瓷粉体,利用TDA/TG和IR光谱分析前驱体凝胶的变化,利用XRD和SEM分析和观察不同热处理温度下CBTVO粉体的相组成和颗粒形貌,利用EDX测定粉体颗粒的元素分布,并对CaBi4Ti4O15类钙钛矿主晶相的形成过程和机制进行探讨。结果表明:有机物在300℃之前基本上完全排除,铋层类钙钛矿结构的主晶相在500℃开始形成,并含有少量的Bi2O3相。Bi2Ti2O7相在590℃左右出现,当热处理温度高于800℃后则完全消失。热处理后的粉体颗粒呈片状,900℃热处理后粉体颗粒尺寸介于200～600nm之间,且各元素分布接近于化学计量比。; 何新华叶常茂陈志武胡星; 关键词：溶胶-凝胶

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广东省科技计划工业攻关项目(2007A010500012)