中央高校基本科研业务费专项资金(2011ZZ0017)
- 作品数：3 被引量：19H指数：3
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- 高亮度LED芯片的反射型电流阻挡层设计与实现被引量：8
- 2012年
- 基于光学传输理论矩阵,设计制作SiO2和Ti3O5交替生长的分布式布拉格反射(DBR)结构作为LED芯片的电流阻挡层,并采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术在电流阻挡层处形成沟槽结构,以解决困扰LED器件效率提高的电流扩散及金属电极降低出光效率的问题。实验结果表明,采用这种结构的LED芯片能将亮度提高5%以上,而LED芯片的正向电压基本维持不变。这种反射型电流阻挡层结构能够很好地改善大尺寸LED芯片的电流扩散,有效地提高LED芯片的出光效率。
- 王洪叶菲菲黄华茂姚若河
- 关键词：LED芯片出光效率
- 投射式LED汽车近光灯自由曲面透镜设计被引量：7
- 2012年
- 根据LED光源的发光特性,设计了一种由椭球反射器、挡板和自由曲面透镜所组成的投射式LED近光灯系统。基于非成像光学理论,建立了LED光源经椭球反射器后的出射光线角度与照明平面上坐标的对应关系,结合折反射定律计算透镜自由曲面上的点坐标,通过建模软件将坐标点拟合成曲面实体而得到自由曲面透镜模型。采用蒙特卡洛光线追迹法进行仿真,结果表明:其配光结果完全满足GB4599-2007标准,而且体积小,视野广阔,边缘区域光能也较高,光线利用率达到95.92%。
- 王洪王丽君叶菲菲黄华茂罗婉霞
- 具有侧面柱状结构的高压LED芯片制备被引量：5
- 2013年
- 设计制作了一种具有侧面柱状结构的高压发光二极管(HV-LED)芯片,与未作侧面柱状结构的HV-LED芯片相比,在正向电流20mA下,其光功率提高了7.6%,而正向电压和波长基本维持不变。对这两种HV-LED芯片的电流和电压以及电流和光功率的关系进行研究。封装白光后的测试结果表明,在色温4 500K、驱动电流20mA下,具有侧面柱状结构的HV-LED芯片光效达125.6lm/W。在标准测试温度为20℃、正向电流为20mA驱动下,具有侧面柱状结构的HV-LED芯片封装老化测试1 000h后,光衰仅为2%。
- 王洪吴跃峰钟炯生黄华茂
- 关键词：光提取效率
