山西省回国留学人员科研经费资助项目(2008-37)
- 作品数：14 被引量：44H指数：4
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- 相关领域：一般工业技术化学工程理学电子电信更多>>
- 复合脉冲电沉积制备GaAs薄膜
- 复合脉冲电镀沉积法是近年来新兴的复合材料电沉积技术。本研究以Ga与As2O3为镓源与砷源,铂片为对电极,饱和甘汞电极为参比电极,采用复合脉冲电沉积法在SnO2导电玻璃衬底上制备得到GaAs薄膜。利用高分辨X射线衍射仪（H...
- 刘晶章海霞赵君芙马淑芳梁建许并社
- 关键词：电沉积砷化镓
- 文献传递
- 不同掺杂元素对GaN薄膜影响的研究进展
- GaN是一种宽带隙直接跃迁半导体,具有高热导率,高的热稳定性,高的击穿电压,介电常数小,发光效率高等优势,因此,近年来GaN薄膜的发展非常迅速,GaN在半导体领域有着重要地位,而高质量GaN薄膜的掺杂制备一直是研究者关注...
- 尚林赵君芙张华梁建许并社
- 关键词：GAN薄膜掺杂发光性能
- 文献传递
- 白光LED用红色荧光粉制备与性能的研究进展
- 荧光粉作为白光LED的配套材料,其性能优劣直接影响到白光LED的发光效率、亮度以及显色性等。目前白光LED显色指数偏低,色温偏冷主要是由于荧光粉中缺少红光成分。Eu3+、Sm3+是最常用的红色荧光粉的发光中心,传统红色荧...
- 郭颂刘红利赵君芙张华梁建许并社
- 关键词：白光LED红色荧光粉共掺杂
- 文献传递
- 不同金属催化剂对GaN形貌及其性能影响的研究进展
- GaN纳米材料在蓝光发光二极管等方面显示出了极大的发展潜力,因此低成本、高性能的GaN纳米材料的制备已成为科学研究者倍受关注的热点之一。众多研究发现在制备过程中,采用不同催化剂对生成GaN的形貌及其性能有着显著的影响,筛...
- 朱琳赵君芙张华梁建许并社
- 关键词：金属催化剂GAN纳米材料
- 文献传递
- 采用Al缓冲层在蓝宝石衬底上合成GaN多晶薄膜
- 2011年
- 采用CVD法以金属镓(Ga)和氨气(NH3)为原料,在镀有Al膜的蓝宝石衬底上成功地制备了GaN多晶薄膜。采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射电子扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)和光致发光能谱(PL)对样品进行了成分、形貌、表面粗糙度和发光性能分析。结果表明,制备的GaN薄膜为结晶性较好的六方纤锌矿GaN多晶薄膜,用266nm的激光作为激发光源时,光致发光谱中除出现354nm的近带边发射峰外,同时还观察到中心波长位于530nm附近的黄光发光峰及中心波长位于约637nm的红光发光峰。
- 赵君芙赵丹梁建马淑芳许并社
- 关键词：半导体CVD法
- ZnO纳米结构的CVD制备工艺及其应用被引量：2
- 2011年
- 纳米结构的ZnO由于具有优异的光、电、磁、声等性能,已经成为光电、化学、催化、压电等领域中聚焦的研究热点之一。不同纳米结构的ZnO其制备方法不同,着重概述了采用化学气相沉积(CVD)工艺制备ZnO纳米材料,包括直接热分解、高温加热锌粉、碳热还原法以及金属有机气相沉积(MOCVD)4种方法,重点讨论了不同锌源和氧源对ZnO纳米结构的影响规律,并初步探讨了ZnO的VLS与VS生长机理,同时展望了ZnO在各领域中的最新应用。
- 孟华梁建赵君芙赵国英
- 关键词：ZNO纳米结构CVD法
- PbX(X=S,Se)纳米结构材料的制备方法被引量：1
- 2010年
- PbX(X=S,Se)纳米结构材料因其良好的光电性能,在太阳能电池等方面有着较好的应用前景,目前已成为半导体领域的研究热点。概括和总结了几种制备PbX纳米材料的经典和新型方法,其中包括水热法、溶剂热法、化学气相沉积法、中孔材料模板法、熔盐籽晶法、纳米晶的取向附属物法和微波法等,并分析和讨论了各方法的特点及对应产物的特征。
- 危兆玲李天保赵君芙梁建马淑芳许并社
- 关键词：PBSPBSE
- 不同醇对溶剂热法制备氧化亚铜形貌的影响被引量：5
- 2010年
- 以乙酸铜、三乙醇胺和醇为原料,采用溶剂热法制备出了不同形貌的微米氧化亚铜颗粒。通过SEM和XRD对所制备产物的形貌和物相进行分析表征,结果表明,在适当的反应温度下,不同醇类作还原剂均可生成球形氧化亚铜微晶,但随着醇羟基数量的增加,球形氧化亚铜微晶的反应生成温度逐渐降低。同时,对醇在形成氧化亚铜微晶的反应过程中所起的作用进行了初步探讨。
- 梁建董海亮赵君芙黄平马淑芳
- 关键词：氧化亚铜溶剂热法自由基
- 金属缓冲层上生长GaN薄膜的结构、发光性能及其生长机理被引量：1
- 2011年
- 为了解决硅衬底与GaN之间的晶格失配和热失配问题,实验尝试采用常压化学气相沉积法(APCVD),分别以金属镓(Ga)和氨气(NH3)为镓源和氮源,在加入Al、Au/Al两种金属缓冲层和不加缓冲层的硅衬底上生长氮化镓(GaN)薄膜。采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、X-ray能谱仪(EDS)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和光致发光能谱(PL)对样品进行了结构、成分、形貌和发光性能分析,结果表明,生成物均为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜,但其形貌和发光性能各异。在加入金属缓冲层后,GaN薄膜的致密度和结晶性能均提高,而且其生长取向随之发生了显著变化,光强度也有所增强。最后,对在不同缓冲层上GaN薄膜的生长机理进行了初步探讨。
- 梁建赵丹赵君芙马淑芳邵桂雪许并社
- 关键词：GAN
- Zn掺杂之字形GaN纳米管的制备及性能表征
- 分别以氧化镓、氧化锌和氨气作为镓源、锌源和氮源,通过化学气相沉积法在喷金的Si（100）衬底上生长Zn掺杂之字形GaN纳米管。以场发射扫描电镜（FESEM）、X-射线衍射仪（XRD）、光致发光仪（PL）等测试方法对其成分...
- 王晓宁梁建赵君芙张华马淑芳许并社
- 关键词：氮化镓纳米管
- 文献传递
