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国家科技重大专项(2008ZX01002)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：李志明朱庆伟张金凤郝跃许志豪更多>>
相关机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇原子力显微镜
  • 1篇金属有机物
  • 1篇非极性
  • 1篇GAN

机构

  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 1篇许晟瑞
  • 1篇赵广才
  • 1篇毛维
  • 1篇张进城
  • 1篇周小伟
  • 1篇许志豪
  • 1篇郝跃
  • 1篇张金凤
  • 1篇朱庆伟
  • 1篇李志明

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
金属有机物化学气相沉积生长的a(110)面GaN三角坑缺陷的消除研究
2009年
用金属有机物化学气相沉积方法在r面蓝宝石上生长了非极性a面GaN薄膜,通过采用AlGaN多量子阱插入层,得到了高质量的非极性GaN材料.用原子力显微镜和高分辨X射线衍射仪研究了a面GaN的表面形貌和结晶质量,发现非极性材料上典型的三角坑缺陷被消除,(110)面X射线双晶摇摆曲线的半峰宽为680″.
许晟瑞张进城李志明周小伟许志豪赵广才朱庆伟张金凤毛维郝跃
关键词：GAN原子力显微镜非极性
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