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中国工程物理研究院科学技术发展基金(2007A02001)

作品数:11 被引量:35H指数:4
相关作者:胡睿王关全张华明杨玉青熊晓玲更多>>
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发文基金:中国工程物理研究院科学技术发展基金更多>>
相关领域:电气工程化学工程理学交通运输工程更多>>

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 6篇电气工程
  • 5篇化学工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇理学

主题

  • 3篇镀镍
  • 3篇化学镀
  • 3篇化学镀镍
  • 2篇电池
  • 2篇镀镍工艺
  • 2篇输出性能
  • 2篇钛片
  • 2篇化学镀镍工艺
  • 2篇加载
  • 2篇辐照
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体器件
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇低浓度
  • 1篇电学性能
  • 1篇镀层
  • 1篇正交
  • 1篇正交试验
  • 1篇酸度

机构

  • 12篇中国工程物理...

作者

  • 11篇张华明
  • 11篇王关全
  • 11篇胡睿
  • 10篇杨玉青
  • 9篇熊晓玲
  • 8篇魏洪源
  • 5篇罗顺忠
  • 4篇高晖
  • 2篇刘国平
  • 2篇刘业兵
  • 1篇宋宏涛
  • 1篇谢波

传媒

  • 2篇核技术
  • 2篇表面技术
  • 2篇同位素
  • 1篇分子科学学报
  • 1篇材料保护
  • 1篇电镀与涂饰
  • 1篇材料导报
  • 1篇原子能科学技...

年份

  • 4篇2010
  • 6篇2009
  • 2篇2008
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
辐射伏特效应同位素电池组阵可行性初步研究
将辐射伏特效应同位素电池形成电池组阵,是其满足实际应用对电性能要求必然要采取的一种方式。本文通过对两片受Ni-63放射源辐照的半导体器件分别以串联、并联的方式连接,测试了在这些连接方式下他们的电输出性能。结果显示,串联方...
王关全胡睿熊晓玲张华明杨玉青魏洪源高晖刘业兵
文献传递
利用偶联技术制备核电池用镍膜的工艺初探被引量:1
2010年
曲面换能单元的核电池中镍-63的加载难以用常规源片加载法实现。采用偶联技术,对功能高分子膜的表面用偶联剂改性后进行活化处理,初步制备了镀有非放镍的高分子薄膜,并分析了此工艺的反应机理。采用该工艺可避免常规化学镀镍方法中试剂对半导体材料的损伤。
胡睿魏洪源熊晓玲张华明王关全杨玉青
关键词:核电池加载
基于自组装单分子层技术的单晶硅表面化学镀镍工艺优化被引量:4
2010年
传统的化学镀镍前处理会对单晶硅造成严重影响,进而影响两者的结合。以单因素条件设计并结合4因素3水平正交试验,对单晶硅表面进行改性活化处理,优选出化学镀镍的处理条件为:羟基化处理15h,偶联处理48h,再在化学镀液中于90℃下施镀1h,在此条件下对单晶硅化学镀镍可以获得的沉积速度高达6.137mg/(cm2.h),且镀层与硅片结合牢固,颗粒品质优良。
胡睿熊晓玲王关全魏洪源张华明杨玉青
关键词:化学镀镍单晶硅正交试验
小体积化学镀镍工艺被引量:4
2009年
以尺寸不规则的Y1Cr18Ni9不锈钢片为基底,研究了在约2mL镀液的条件下,化学镀镍工艺中主盐与还原剂浓度之比、pH、反应时间及反应温度对镀层沉积速率的影响。结果表明:当c(Ni2+):c(H2PO2-)=0.75:1,pH为6,温度为77°C,反应2h的条件下,镀层沉积速率快,含镍量高于72%,且颗粒分布均匀、密实。
胡睿张华明熊晓玲王关全杨玉青刘国平
关键词:不锈钢化学镀镍酸度沉积速率
辐射伏特效应同位素电池换能单元设计及其性能测试被引量:11
2010年
以单晶硅基结型器件为基础,探讨其结构与辐射作用下电输出性能的关系,为辐射伏特效应同位素电池换能单元(PN结)设计提供依据。设计制作了两种可作为同位素电池换能单元用的单晶硅半导体PN结型器件,使用63Ni源辐照这些器件并测量其电输出性能。结果表明,新设计的器件具有比原器件更大的开路电压、输出功率和能量转换效率。
王关全杨玉青张华明胡睿魏洪源熊晓玲罗顺忠
关键词:电学性能
辐射伏特效应同位素电池换能单元的初步设计被引量:8
2010年
初步设计制作3种辐射伏特效应同位素电池换能单元,测试其在固态63Ni源和3H源辐照下的输出电特性,对输出电特性进行数学解析模型分析并提出进一步改进设计的思路。结果表明,设计的换能单元在发射高能α同位素作用下,性能快速急剧退化;在2.96×108Bq的63Ni源辐照下,获得最大短路电流为28.4nA,最大开路电压为0.267V;在约5.09×109Bq的3H源辐照下,获得最大短路电流为62.8nA,最大开路电压为0.260V。当前换能单元参数还需进一步优化。
杨玉青王关全胡睿高晖刘业兵张华明罗顺忠
低浓度硝酸镍间接化学镀镍工艺的研究被引量:4
2009年
在传统化学镀镍工艺中,硝酸镍不是直接施镀的主盐,但在一些特殊使用需求的情况下只能使用硝酸镍作原料。研究了以硝酸镍为原料,通过不同的沉淀剂,采用离心-沉淀-再溶解法以及灼烧法将硝酸镍转化成硫酸镍,将硝酸根去除后间接实现化学镀镍。研究结果表明:采用草酸工艺可以得到镍离子转化率高、硝酸根除去效果好的硫酸镍溶液,采用该溶液配制的化学镀镍液制备出的镀层具有均匀、致密,粒径1~2μm,双面沉积量大于5mg/cm^2,含镍量72%以上等特征。
胡睿杨玉青王关全熊晓玲张华明
关键词:化学镀镍硝酸镍镀层
PN结型器件在氚钛片辐照下电输出性能被引量:5
2009年
用多片具有不同金属钛膜厚度和充氚量的氚钛片对两种单晶硅基PN结型器件进行了辐照,在线测量了它们的电输出性能并进行了定性分析。结果表明,在本文所采用的钛膜厚度和氚量级下,器件输出短路电流等随充氚量增加而小幅增大,但不成正比关系;器件的掺杂浓度、结深等结构参数对器件电输出性能影响较大。
王关全杨玉青张华明胡睿魏洪源熊晓玲高晖
关键词:PN结
半导体器件在辐射作用下的电学输出性能被引量:8
2008年
半导体结型器件是决定辐射伏特效应同位素电池能量转换效率的核心部件。本工作采用加速器产生的不同能量电子束和^(63)Ni源的β射线对硅基PiN结型器件进行辐照,在线测量了其电学输出性能。结果表明,当电子束能量为18 keV时,能量转换效率>4%;电子束能量为6 keV时,能量转换效率为0.16%~0.33%;活度为2.96×10~8Bq的^(63)Ni源片辐照的能量转换效率约为0.1%。
王关全张华明罗顺忠胡睿高晖杨玉青魏洪源宋宏涛
关键词:半导体器件能量转换效率
CO在δ-Pu(111)面吸附行为的周期性密度泛函理论研究被引量:4
2009年
利用量子化学中的密度泛函理论结合周期模型方法研究了CO分子在δ-Pu(111)面的吸附行为.通过对不同吸附位置的吸附能和平衡几何结构比较发现,CO分子在δ-Pu(111)面的吸附C端吸附比O端吸附更有利,属于较强的化学作用,最稳定的吸附方式为心式垂直吸附,桥式次之,顶式最不稳定.心式垂直吸附的吸附能为-1.236eV,C原子吸附位距离Pu表面0.2122nm,C—O键长0.1208nm.CO与Pu配位数目是决定化学吸附的主要因素,配位的Pu原子数目越多,化学成键越稳定.Mulliken电荷分析表明CO和Pu表面的作用主要发生在第一层,另外两层几乎没有影响.
熊晓玲魏洪源罗顺忠刘国平
关键词:CO分子
共2页<12>
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