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博士科研启动基金(BSJXM-201304)

作品数：1 被引量：2H指数：1
相关作者：倪牮严干贵黄振华曹宇张建军更多>>
相关机构：东北电力大学南开大学更多>>
发文基金：天津市应用基础与前沿技术研究计划博士科研启动基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇结构特性
  • 1篇H
  • 1篇X
  • 1篇C-SI

机构

  • 1篇东北电力大学
  • 1篇南开大学

作者

  • 1篇李天微
  • 1篇赵颖
  • 1篇张建军
  • 1篇曹宇
  • 1篇黄振华
  • 1篇严干贵
  • 1篇倪牮

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2014
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
电极间距对μc-Si_(1-x)Ge_x:H薄膜结构特性的影响被引量：2
2014年
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,使用SiH4加GeH4的反应气源组合生长微晶硅锗(μc-Si1-x Gex:H)薄膜.研究了电极间距对μc-Si1-x Gex:H薄膜结构特性的影响.发现薄膜中的Ge含量随电极间距的降低逐渐增加.当电极间距降至7 mm时,μc-Si1-x Gex:H薄膜具有较大的晶粒尺寸并呈现较强的(220)择优取向,同时具有较低的微结构因子.通过薄膜结构特性的变化分析了反应气源的分解状态,认为Ge含量的提高主要是SiH4的分解率降低所导致的.在较窄的电极间距(7 mm)下,等离子体中GeH3基团的比例较大,增强了Ge前驱物的扩散能力,使μc-Si1-x Gex:H薄膜的质量得到提高.
曹宇张建军严干贵倪牮李天微黄振华赵颖
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