国家自然科学基金(9020102590301002)
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
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- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 采用氨化技术制备成簇生长的光滑线状氮化镓
- 2007年
- 通过在1 000℃时氨化Ga2O3/MgO/Si(111)薄膜15 min,制备出成簇生长的光滑的长直线状GaN。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率电子显微镜(HRTEM)对样品进行测试分析。结果表明,线状GaN为六方纤锌矿结构单晶相,表面光滑,且成簇生长,直径在200 nm^400 nm左右,其长度可达5μm^20μm。
- 孙莉莉薛成山孙传伟艾玉杰庄惠照王福学
- 关键词：GAN磁控溅射
- 氨化温度对氨化Ga_2O_3/Al膜制备GaN纳米结构材料的影响被引量：2
- 2008年
- 采用磁控溅射的方法在Si(111)衬底上溅射沉积了Ga2O3/Al膜,并通过氨化的方法在Si(111)衬底上获得了GaN纳米结构材料,研究了不同的氨化温度对生成GaN纳米结构材料的影响。对样品进行了傅立叶红外吸收(FTIR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)以及高分辨电镜(HR-TEM)测试,分析了不同温度对GaN样品的结构、组分和形貌等特性的影响。结果表明,用该方法在950℃的氨化温度下得到了大量的六方GaN纳米棒。
- 庄惠照胡丽君薛成山薛守斌
- 关键词：GAN纳米棒氨化
- 氨化法制备大量单晶GaN纳米线及其特性研究
- 2008年
- 利用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/Co薄膜,然后在管式炉中通入流动的氨气在950℃对薄膜进行氨化,反应后成功制备出大量GaN纳米线。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对样品进行分析。结果表明,采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线,纳米线的直径在50 nm^150 nm范围内,长度为几十微米。
- 薛成山秦丽霞庄惠照陈金华杨兆柱李红
- 关键词：磁控溅射氮化镓纳米线X射线衍射
- 氨化Si基Ga_2O_3/Ta薄膜制备GaN纳米线
- 2007年
- 利用磁控溅射技术在Si衬底上制备Ga2O3/Ta薄膜,然后在900℃、氨气中退火合成了大量的一维单晶氮化镓纳米线。用X射线衍射、扫描电子显微镜、傅里叶红外吸收光谱、透射电子显微镜、选区电子衍射和光致发光谱对制备的氮化镓进行了表征。结果表明,制备的GaN纳米线是六方纤锌矿结构,其直径大约为50 nm,最大长度可达8μm左右。室温下光致发光谱的测试发现了364 nm处有较强紫外发光峰。
- 李红薛成山庄惠照张晓凯陈金华杨兆柱秦丽霞
- 关键词：氮化镓纳米线
