国家自然科学基金(10972012)
- 作品数：9 被引量：22H指数：3
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- 相关领域：金属学及工艺理学电子电信一般工业技术更多>>
- 金属间化合物Cu6Sn5的力学性能测试
- 焊料和焊盘在界面处化学反应生成的金属间化合物(IMC)与焊锡接点破坏密切相关,因此,IMC的力学性能已经成为许多学者研究的热点。由于尺寸较小,一般的实验方法无法测试其力学性能,本文采用纳米压痕方法测量金属间化合物的弹性和...
- 仲伟旭武伟秦飞
- 关键词：金属间化合物纳米压痕弹性模量
- 文献传递
- 微电子芯片层叠封装制造工艺过程的有限元模拟被引量：2
- 2012年
- 提出一种模拟层叠封装制造全过程的有限元方法,用于评估芯片应力和翘曲变形情况,为层叠封装设计和提高成品率提供工具.建立了层叠封装3维有限元模型,考虑了温度对材料属性和模塑化合物收缩的影响,并采用单元生死技术实现了各工艺步间的无缝连接,分析了封装在加工工艺过程中的应力分布以及翘曲的连续演化情况.结果表明,给出的方法可行有效.
- 秦飞任超
- 关键词：电子封装有限元法
- TSV转接板等效材料计算
- 采用复合材料性能的细观力学分析方法,即以填充硅通孔的铜和硅基体作为基本'元件',分别看做各向同性的均匀材料,然后根据几何形状、分布形式、各自物理性能以及相互作用等条件,分析硅通孔(TSV)转接板整体的力学性能,最终得到等...
- 安彤武伟秦飞
- 关键词：复合材料细观力学
- 文献传递
- TSV转接板上硅通孔的热应力:解析解
- 硅通孔(TSV)技术作为实现3D封装中芯片堆叠和硅转接板互联的关键而被广泛关注。本文研究了在温度载荷作用下TSV转接板上铜和硅的应力状态,给出了转接板上铜和硅的应力解析解,并讨论了孔距对转接板应力的影响。
- 安彤武伟秦飞
- 关键词：热应力解析解
- 文献传递
- TSV转接板上硅通孔的热应力:有限元解
- 硅通孔(TSV)技术可以用于芯片和基板的转接板互联以及芯片堆叠,因此被认为是实现先进封装中提高系统性能的关键。本文建立了TSV转接板的二维有限元模型,研究了在温度载荷作用下TSV转接板上铜和硅的应力状态,并讨论了孔距对转...
- 安彤武伟秦飞
- 关键词：热应力有限元
- 文献传递
- 无铅焊点金属间化合物的纳米压痕力学性能被引量：5
- 2013年
- 研究Sn3.0Ag0.5Cu/Cu界面处的IMC在150℃下等温时效的生长情况,时效时间分别为100,300,500,1 000 h.拟合出IMC的厚度与时效时间的关系,采用纳米压痕仪进行纳米压痕试验,发现Cu6Sn5与Cu3Sn的变形机制不同.Cu6Sn5为非连续性塑性变形,表现为压痕过程中的锯齿流变;Cu3Sn的压痕曲线比较平滑.随Cu6Sn5厚度的增加,Cu6Sn5的弹性模量和硬度没有太大变化.对时效100,500 h后的Sn3.0Ag0.5Cu/Cu界面处的过渡区进行纳米压痕试验,发现Cu,Cu3Sn,Cu6Sn5和Sn3.0Ag0.5Cu的硬度大小顺序为Cu6Sn5>Cu3Sn>Cu>Sn3.0Ag0.5Cu.
- 秦飞安彤仲伟旭刘程艳
- 关键词：电子封装金属间化合物纳米压痕力学性能
- 考虑损伤效应的无铅焊锡材料的率相关本构模型
- 无铅焊锡材料的Johnson-Cook动态本构模型在应变率较高(1200s-1或以上)且应变超过某个临界值时与实验曲线存在较大误差。本文考虑冲击过程中无铅焊锡材料试件中的损伤影响,根据实验数据确定了损伤演化参数,对原模型...
- 王旭明安彤秦飞
- 关键词：无铅焊料本构关系
- 文献传递
- 基于红外热成像技术的电子封装缺陷无损检测方法被引量：1
- 2013年
- 在电子器件封装制造和服役过程中,工艺及温度载荷容易引起器件内部界面分层等缺陷,严重影响产品良率和可靠性,及时发现这些内部缺陷十分重要。红外热成像检测技术由于非接触、实时记录、检测速度快、定量分析等特点,已逐渐成为无损检测等领域有效的检测手段。本文采用主动双面红外测量方法对塑封料和铜界面间的缺陷进行检测,得到了试样的表面温度分布与缺陷的尺寸和深度的对应关系。通过试验数据对缺陷深度理论计算方法进行了对比研究,实现了试样内部缺陷特征的定量化识别。
- 秦飞刘程艳班兆伟
- 关键词：电子封装红外热成像无损检测
- 焊锡接点IMC层的扩散应力
- 钎焊过程中在焊锡接点中形成的金属间化合物(IMC)对焊锡接点可靠性具有重要作用。基于扩散反应机制,建立了IMC生长早期的微结构特征的2界面(Cu/Cu6Sn5/solder)分析模型,研究了焊锡接点IMC层在形成和生长过...
- 夏国峰秦飞
- 关键词：金属间化合物
- 文献传递
- 焊锡接点IMC层的扩散应力被引量：3
- 2012年
- 钎焊过程中在焊锡接点中形成的金属间化合物(IMC)对焊锡接点可靠性具有重要影响.在原子扩散效应下,回流焊和等温时效过程中IMC层的生长会在其内部产生应力,其微结构也发生变化,致使IMC层和整个焊锡接点的力学性能下降.论文基于扩散反应机制,研究了由于原子扩散产生的IMC层的扩散应力.首先建立了描述焊锡接点IMC层生长早期微结构特征的2界面(Cu/Cu6Sn5/Solder)分析模型,然后运用Laplace变换法求解扩散方程得到了Cu原子在IMC层中的浓度分布;采用把原子扩散作用转换为体应变方法,计算了IMC层在形成和生长过程中应力的解析解.结果表明:IMC层中的扩散应力为压应力,最大值位于Cu/IMC界面处,大小与扩散原子浓度密切相关;随着时效时间的增加,扩散应力增大,但最终趋于稳定并沿IMC厚度方向线性变化.
- 秦飞安彤夏国峰
- 关键词：金属间化合物
