上海市科委纳米专项基金(0552nm043)
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
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- 制备Cu互连悬空结构的新型工艺研究被引量：2
- 2007年
- 为了降低集成电路中的互连延迟,采取了一种新型的集成电路Cu互连工艺,以掩膜电镀的方法制备Cu互连的叠层结构,借鉴MEMS工艺的牺牲层技术,用浓磷酸对Al2O3牺牲层进行湿法刻蚀,不仅在互连金属间介质层而且在层内介质层都形成了以空气为介质的Cu互连悬空结构。用一种叉指测试结构对以空气和聚酰亚胺为介质的互连性能进行了比较,结果表明,采用空气介质减小了互连线耦合电容,为进一步降低集成电路的互连延迟提供了途径。
- 刘兴刚张丛春杨春生石金川
- 关键词：CU互连低介电常数电容
- 磁控溅射的TaN薄膜的扩散阻挡性能被引量：1
- 2008年
- 用反应磁控溅射方法在SiO2/Si(100)衬底和Cu薄膜间溅射一层TaN阻挡层,测试不同N气分压及热处理温度下Cu/TaN/SiO2/Si薄膜的显微结构和电阻特性。同时利用微细加工技术加工了镂空的Cu互连叉指测试结构,研究了TaN薄膜在镂空的铜互连结构中的扩散阻挡性能。结果发现,在退火温度不超过400℃时,薄膜电阻率均低于80μΩ.cm,而当溅射N分压超过10%,退火温度超过400℃时,薄膜电阻率很快上升。低N气分压下(≤10%)溅射时,即使退火温度达到600℃,薄膜电阻基本不变。
- 张丛春刘兴刚石金川杨春生
- 关键词：铜互连磁控溅射热稳定性
- 一种新型的全局互连结构及其加工方法
- 2007年
- 随着特征尺寸的缩小,互连成为制约集成电路性能提高和成本下降的主要因素。为了降低互连延迟,提出了一种全新的全局互连结构,即利用掩膜电镀和CMP技术形成三维的铜互连结构,再利用牺牲层技术将三维结构镂空,得到悬空的全局互连结构。该结构可大大地降低全局互连对延迟的影响。
- 张丛春刘兴刚杨春生石金川
- 关键词：牺牲层CMP
