江苏省高校自然科学研究项目(08KJA510002)
- 作品数：6 被引量：19H指数：3
- 相关作者：罗向东戴兵花婷婷张锐程玮更多>>
- 相关机构：南通大学江苏大学南京邮电大学更多>>
- 发文基金：江苏省高校自然科学研究项目国家自然科学基金交通部行业联合科技攻关计划项目更多>>
- 相关领域：理学机械工程电子电信电气工程更多>>
- 单晶Si太阳能电池工艺仿真与性能分析被引量：4
- 2010年
- 日益成熟的集成电路工艺与器件计算机辅助设计工具有助于缩短半导体工艺和器件的开发周期、降低开发成本,因而越来越被广泛应用。基于TCAD工具,给出了一种简单pn结太阳能电池的工艺过程,详细介绍了其短路电流、开路电压、填充因子以及转换效率等性能参数的仿真方法,并以p型衬底上单晶Si太阳能电池为例,分别讨论了其伏安特性、光谱特性、照度特性和温度特性。与实验方法相比较,基于TCAD的辅助设计方法对加快国内太阳能电池工艺的技术发展将起到积极的作用。
- 孙玲罗向东常志强
- 关键词：计算机辅助设计硅太阳能电池PN结伏安特性
- 从散射谱反演颗粒尺寸分布的测试方法改进被引量：3
- 2011年
- 针对从散射谱反演颗粒尺寸分布测量中,由于衍射近似要求近前向取值而带来的反演噪声问题,提出了一种改进的方法。在Chin-Shifrin(C-S)积分变换反演中,插入一种调节函数使得噪声基本消失,又不至于影响反演谱的分布峰位置。对理想单分散颗粒群的模拟效果说明了该法的可行性。对以线阵CCD为接受器件的实验测量和反演结果显示,采用调节函数后反演谱噪声基本消失,且分布峰与标称比较吻合。说明了该法不仅可行而且效果很好。反演的结果还指出可通过改变物镜的焦距来选择采样角的上下限,以减小反演谱中的不同问题,在实际测量中必须权衡利弊,采用恰当的焦距,才能达到最佳的效果。
- 戴兵袁银男包志华梅德清
- 关键词：散射谱颗粒尺寸分布反演线阵CCD
- 基于RIE技术的倾斜表面SOI功率器件制备技术被引量：1
- 2011年
- 对一种具有倾斜表面漂移区SOI LDMOS的制造方法进行了研究,提出了多窗口反应离子刻蚀法来形成倾斜表面漂移区的新技术,建立了倾斜表面轮廓函数的数学模型,TCAD工具的2D工艺仿真证实了该技术的可行性,最终优化设计出了倾斜表面漂移区长度为15μm的SOI LDMOS。数值仿真结果表明,其最优结构的击穿电压可达350 V,导通电阻可达1.95Ω·mm^2,同时表现出良好的源漏输出特性。
- 张锐郭宇锋程玮花婷婷
- 关键词：绝缘体上硅反应离子刻蚀
- 椭圆截面非球形颗粒群的多重光散射被引量：11
- 2009年
- 尽管非球形下一些特殊形状颗粒的单散射已被得到,球形多颗粒系(颗粒群)的多重散射也被研究,但至今仍未得到非球形颗粒群的多重散射.文中建立了一类椭圆截面非球形颗粒模型,求得其散射相位函数,借助于辐射传播方程,考虑形状及大小分布,得到了该类颗粒群的多重光散射.在两种特例情况下的结果能与已有的结果符合较好,说明了方法的可靠性.计算分析表明:非球形颗粒群的多重散射光强角分布要比球形颗粒平坦.椭圆截面颗粒的粒度或形状参数越大,多重散射光越集中于小的散射角;粒度分布或形状分布越宽,多重散射光强的角分布越平坦.随着光学厚度增加,多重散射光强的角分布变平坦,而在某散射角的光强增加到一定程度后将会减小.研究结果不仅使多重散射向非球形颗粒领域拓展,同时也具有实际指导价值.
- 戴兵罗向东王亚伟
- 单一杂质半导体中杂质电离状态判定被引量：1
- 2009年
- 利用电中性条件,通过分析不同温度下杂质浓度和少子浓度的相对关系以及杂质未电离比率,讨论了如何判定具有单一杂质的半导体中杂质的电离状态并计算相应状态下的载流子浓度;通过判定少子浓度是远低于还是远高于杂质浓度,或是与杂质浓度相当,可有效区分饱和电离区、过渡区以及本征电离区并得到有效的载流子浓度计算公式;通过计算未电离杂质的比率可有效判定杂质半导体是处于低温弱电离区、中间电离区或饱和电离区,并得到其载流子浓度计算公式;最后通过实例说明判定方法的应用并计算相应的载流子浓度。
- 罗向东戴兵
- SOI和体硅MOSFET大信号非准静态效应比较研究
- 2011年
- 研究了全耗尽SOI、部分耗尽SOI和体硅NMOS器件中源、漏、栅和衬底电流的非准静态现象。研究表明,在相同的结构参数下,体硅器件的非准静态效应最强,PDSOI次之,FDSOI最弱。指出了沟道源、漏端反型时间和反型程度的不同是造成非准静态效应的内在原因。最后提出临界升压时间的概念,以此对非准静态效应进行定量表征,深入研究器件结构参数对非准静态效应的影响规律。结果显示,通过缩短沟道长度、降低沟道掺杂浓度、减小硅膜厚度和栅氧厚度、提高埋氧层厚度等手段,可以弱化SOI射频MOS器件中的非准静态效应。
- 程玮郭宇锋张锐左磊召花婷婷
- 关键词：全耗尽SOI部分耗尽SOI射频MOSFET
