国家部委预研基金(9140A08010208DZ0123)
- 作品数：7 被引量：35H指数：4
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- 高效率宽输入范围电荷泵2倍压电路的设计被引量：1
- 2011年
- 提出一种无阈值损耗的电荷泵倍压电路(2倍压电路),该电路采用衬底可变单元代替二极管连接的MOS管,消除了MOS器件的体效应及阈值损耗的影响,与传统电荷泵相比效率提高了20%,获得低至1.0V的宽输入范围.基于该结构采用TSMC 0.25μm BCD工艺设计了一款2.0AUSB功率开关芯片,使用spec-tre对整体电路进行了仿真验证,结果表明:该电荷泵电路的工作状态良好,同比输出电压提高了1.0V,效率最高可达90%,基于该工艺实现的电荷泵电路的版图面积仅为0.04mm2.
- 代国定刘世伟杨向一韩辉
- 关键词：电荷泵倍压电路体效应
- 一种Boost型APFC控制芯片的设计与实现
- 2012年
- 为抑制谐波对公共电网的污染、提高电能利用率,针对中小功率电器功率因数校正的需要,设计了一种基于Boost型拓扑结构的有源功率因数校正控制芯片.该芯片采用临界导通模式控制,加入总谐波失真优化电路,解决了输入电流过零处的交越失真问题.设计了带双模式过压检测的电压反馈电路,实现了对整个系统的快速瞬态响应和异常保护.整个电路采用CSMC 0.5μm BCD工艺设计,芯片面积仅1.36 mm2.基于该芯片,设计了80 W功率因数校正电路.测试结果表明:在220 V交流输入、满负载条件下,电流THD(总谐波失真)为3.1%,功率因数达0.997,效率为96.8%,表明该芯片很好地实现了功率因数校正功能.
- 代国定马晓辉欧健薛超耀马任月卢晶
- 关键词：有源功率因数校正总谐波失真BCD工艺
- 提高峰值电流模DC/DC带载能力的限流设计被引量：6
- 2011年
- 提出了一种新颖的提高峰值电流模DC/DC带载能力的限流设计,将斜坡补偿的采样电流放大信号与斜坡补偿的正温度系数电压信号相比较,代替传统的固定电压限流,消除斜坡补偿对带载能力的影响,并对采样结构的正温度特性进行温度补偿,提高了DC/DC转换器带载能力.该电路基于TSMC的0.25μm BCD工艺设计,投片测试结果表明:占空比在10%～80%变化时,电感电流最大值相对变化量小于5%;温度在-40～120℃变化时,电感电流最大值相对变化量小于6.5%.
- 代国定胡波马晓辉陈跃
- 关键词：DC/DC转换器斜坡补偿带载能力温度补偿
- 高性能分段温度曲率补偿基准电压源设计被引量：11
- 2010年
- 针对带隙基准电压源温漂高、电源抑制比(PSRR)低的问题,提出一种新颖的分段曲率补偿技术.该电路将基准源工作的全温度范围划分为3个区间,对各段温度区间进行不同的温度补偿,同时引入电流环负反馈结构,提高电路在低频时的电源抑制比,实现在-40～150℃内,温度系数为1.24×10-6,在DC时电源抑制比为-137dB.该电路采用TSMC0.6μmBCD工艺设计实现,芯片面积为0.5mm2,关断电流小于0.1μA,工作静态功耗为125μW.投片测试结果验证了电路设计的正确性,当电源电压为2.5～6.0V时,该基准源输出电压摆幅仅为0.220mV.
- 代国定徐洋李卫敏黄鹏
- 关键词：带隙基准电压温度系数电源抑制比
- 电流模PWM降压DC_DC片内补偿电路的设计实现被引量：8
- 2010年
- 对单片电流模降压DC_DC的内部电流环与电压环的稳定性进行了分析研究,分别采用分段线性斜坡补偿与内置频率补偿技术,有效消除环路亚谐波振荡并克服了稳定性对输出负载以及误差放大器增益的依赖,提高了芯片的瞬态响应速度及输出带负载能力。采用TSMC0.25μmBCD工艺设计实现了一款高电压电流模PWM降压型的DC_DC芯片,spectre仿真结果表明,输出电流可达2A,其线性调整率和负载调整率均小于0.3%,输出电压对负载1A时的阶跃响应时间小于70μs。
- 代国定徐洋李卫敏胡波
- 关键词：频率补偿环路增益
- 一种新颖的脉宽调制平均分割调光算法的设计与实现被引量：3
- 2009年
- 提出了一种新颖的16bit脉宽调制(PWM)平均分割调光算法,其映射电路满足LED光亮度在0～100%间精细调光。该算法将整个PWM周期均分为多个小的灰度周期,同时对灰度数据权值位进行分割处理,以克服高权值位对灰度均匀性的影响,提高了灰阶亮度的视觉刷新率,且有效消除低亮度时的闪烁问题。采用HSIM对整体电路进行了仿真验证,结果表明,PWM输出波形具有良好的均匀性。基于TSMC0.6μm BCD工艺实现的调光电路有效芯片面积小于0.3mm2,对采用本设计的一款RGBLED驱动芯片进行流片、测试,验证了该调光电路能够正常工作。
- 代国定李卫敏徐洋虞峰王悬
- 关键词：RGBLED
- 基于线性曲率校正技术的低电压带隙基准源设计被引量：6
- 2009年
- 采用电流求和取代传统电压求和的方法设计了一款低基准电压输出的带隙基准电压源电路,同时提出一种线性化P-N结正向导通电压(VBE)的温度曲率校正技术,保证了基准电压的低温漂和高精度。整个电路采用TSMC0.6μmBCD工艺设计实现,芯片面积为0.2mm2。在Cadence环境下使用Spectre对电路进行了模拟仿真,仿真结果表明:该基准电路可在低至1.1V的电源电压下正常工作;在-20℃～120℃温度范围内,温度系数为9.1×10-6/℃,PSRR为-78dB。在典型的1.5V电源电压下,基准输出电压可调节范围为0.165～1.25V。
- 代国定王悬虞峰徐洋李卫敏
- 关键词：低电压带隙基准电压
